[發明專利]氮化物半導體發光器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201310465679.7 | 申請日： | 2013-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN103715314B | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發明（設計）人： | 川島毅士 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人： | 歐陽帆 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種用于制作發光器件的方法，所述發光器件具有包括氮化物半導體的有源層，所述方法包括如下步驟：
在其中已經使用了含Mg原料的反應器中在襯底上形成包含In的氮化物半導體層；以及
在包含In的氮化物半導體層上形成包括氮化物半導體的有源層，
在所述反應器中重復這些步驟。
2.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
其中包含In的氮化物半導體層具有30nm或更大的厚度。
3.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
其中襯底和有源層之間的距離是1000nm或更小。
4.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
其中包含In的氮化物半導體層具有比有源層大的帶隙。
5.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
其中包含In的氮化物半導體層包括InxGa1-xN并且有源層包括InyGa1-yN，其中0＜x＜y。
6.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
還包括在將襯底運送到反應器中之前對反應器進行熱處理的步驟。
7.根據權利要求1所述的用于制作發光器件的方法，
其中包含In的氮化物半導體層包括InGaN半導體、AlInN半導體、AlInGaN半導體和InN半導體。
8.一種用于制作多個發光器件的方法，每個發光器件具有包括氮化物半導體的有源層以及Mg摻雜的p型半導體層，所述方法包括如下步驟：
在襯底上形成包含In的層，其中，該包含In的層是Mg吸附層；
在包含In的層上形成包括氮化物半導體的有源層；以及
在有源層上形成Mg摻雜的p型半導體層，
在一個反應器中依次重復這些步驟。
9.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中包含In的層具有30nm或更大的厚度。
10.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中襯底和有源層之間的距離是1000nm或更小。
11.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中包含In的層具有比有源層大的帶隙。
12.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中包含In的層包括InxGa1-xN并且有源層包括InyGa1-yN，其中0＜x＜y。
13.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
還包括在將襯底運送到反應器中之前對反應器進行熱處理的步驟。
14.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中包含In的層包括氮化物半導體。
15.根據權利要求8所述的用于制作多個發光器件的方法，
其中包含In的層包括InGaN半導體、AlInN半導體、AlInGaN半導體和InN半導體。
16.一種發光器件，包括：
在襯底上的包含In和Mg的氮化物半導體層；
在包含In和Mg的氮化物半導體層上的包括氮化物半導體的有源層；以及
在有源層上的Mg摻雜的p型半導體層，
其中包含In和Mg的氮化物半導體層中的Mg濃度從襯底的一側向有源層的一側降低。
17.根據權利要求16所述的發光器件，
其中包含In和Mg的氮化物半導體層具有30nm或更大的厚度。
18.根據權利要求16所述的發光器件，
其中襯底和有源層之間的距離是1000nm或更小。
19.根據權利要求16所述的發光器件，
其中包含In和Mg的氮化物半導體層包括InxGa1-xN并且有源層包括InyGa1-yN，其中0＜x＜y。
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