[發明專利]檢測裝置和檢測系統有效
| 申請號: | 201310465678.2 | 申請日: | 2013-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN103716551B | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 渡邊實;望月千織;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H04N5/32 | 分類號: | H04N5/32;H04N5/378;H04N5/374;H04N5/357;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 宋巖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 系統 | ||
1.一種在基板上形成的檢測裝置,所述檢測裝置包括:
以矩陣布置的多個像素;和
與像素電連接的信號線,其中
每個像素包括:
把放射線或者光轉換成電荷的感測元件,
輸出基于電荷的量的電信號的放大薄膜晶體管,
保持由放大薄膜晶體管輸出的電信號的電容器,和
把保持在電容器中的電信號傳送給信號線的傳輸薄膜晶體管。
2.根據權利要求1所述的檢測裝置,其中,電容器被設置在放大薄膜晶體管及傳輸薄膜晶體管與基板之間。
3.根據權利要求1所述的檢測裝置,其中,電容器的電容是感測元件的電容的3~10倍,并且電容器的電容是信號線的寄生電容的1/30~1/10。
4.根據權利要求1所述的檢測裝置,其中,放大薄膜晶體管和傳輸薄膜晶體管是多晶硅薄膜晶體管,
電容器包括設置在基板上的第一導電層,設置在第一導電層上的絕緣層,和設置在絕緣層上的第二導電層,并且
絕緣層包含硅氮化物。
5.根據權利要求4所述的檢測裝置,還包括:設置在放大薄膜晶體管及傳輸薄膜晶體管與電容器之間的鈍化層和層間絕緣層,其中,鈍化層和層間絕緣層包含硅氮化物,并且層間絕緣層比絕緣層厚。
6.根據權利要求5所述的檢測裝置,其中,層間絕緣層的厚度是絕緣層的厚度的6~20倍。
7.根據權利要求4所述的檢測裝置,還包括:
電連接到感測元件的一個電極的電極電源線;
電連接到放大薄膜晶體管的源極和漏極中的一個的工作電源線;和
連接到傳輸薄膜晶體管的柵極的傳輸驅動線,其中,
放大薄膜晶體管的柵極電連接到感測元件的另一個電極,
第一導電層被電連接到放大薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個,第二導電層被電連接到傳輸薄膜晶體管的源極和漏極中的一個,并且
傳輸薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個被電連接到信號線。
8.根據權利要求7所述的檢測裝置,其中,
每個像素還包括:使放大薄膜晶體管的柵極復位的復位薄膜晶體管,選擇像素的選擇薄膜晶體管,和使電容器復位的電容復位薄膜晶體管,
復位薄膜晶體管的源極和漏極中的一個電連接到復位電源線,并且的源極和漏極中的另一個電連接到放大薄膜晶體管的柵極,
選擇薄膜晶體管的源極和漏極中的一個電連接到放大薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個,并且選擇薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個被電連接到第一導電層,并且
電容復位薄膜晶體管的源極和漏極中的一個電連接到被供給預定電位的線路,并且電容復位薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個電連接到第一導電層。
9.根據權利要求8所述的檢測裝置,其中,第一導電層和第二導電層包含透光導電材料。
10.根據權利要求8所述的檢測裝置,還包括:
電連接到選擇薄膜晶體管的柵極的選擇驅動線;
電連接到復位薄膜晶體管的柵極的復位驅動線;
電連接到傳輸驅動線和選擇驅動線的驅動電路;和
電連接到信號線的讀出電路;和
控制驅動電路和讀出電路的控制電路,其中,
讀出電路包括:使信號線復位的復位開關,電連接到信號線的運算放大器,和電連接到運算放大器的采樣保持電路;
采樣保持電路包括信號采樣保持電路和噪聲采樣保持電路;并且
控制電路控制驅動電路和讀出電路,以使得當在利用復位開關復位信號線之后傳輸薄膜晶體管處于導通狀態時噪聲采樣保持電路保持運算放大器的輸出,并且在傳輸薄膜晶體管被導通之后信號采樣保持電路保持運算放大器的輸出且傳輸薄膜晶體管在噪聲采樣保持電路保持運算放大器的輸出之后被導通。
11.根據權利要求10所述的檢測裝置,其中,電容復位薄膜晶體管的柵極電連接到選擇驅動線。
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