[發明專利]半導體發光裝置

有效

• 申請號: 201310464248.9
• 申請日: 2013-10-08
• 公開（公告）號: CN103730478A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 杉森暢尚
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;金玲

1.一種半導體發光裝置，其特征在于具有：

半導體基板，其在主面上定義了發光區域和驅動裝置區域；

層疊體，其在所述半導體基板的所述主面上從所述發光區域連續地配置到所述驅動裝置區域，且該層疊體具有依次層疊由外延生長的氮化物半導體構成的n型半導體層、有源層和p型半導體層而成的結構；

配置在所述層疊體上的層間絕緣膜；

控制晶體管，其隔著所述層疊體的至少一部分和所述層間絕緣膜而配置在所述驅動裝置區域的上方，控制所述層疊體中的發光；以及

遮光膜，其在所述層間絕緣膜內配置在所述控制晶體管與所述層疊體之間。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，

在所述控制晶體管的與所述層疊體相對的側面和底面配置有所述遮光膜。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述層疊體在所述發光區域上的膜厚比在所述驅動裝置區域上的膜厚厚。

4.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述層疊體的膜厚從所述驅動裝置區域朝向所述發光區域逐漸變厚。

5.根據權利要求1～4中的任意一項所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述控制晶體管具有p型區域和n型區域在與所述主面平行的方向上相鄰的結構。

6.根據權利要求5所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述控制晶體管是結型場效應晶體管。

7.根據權利要求6所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述半導體發光裝置還具有布線層，該布線層配置在所述層間絕緣膜上，且在設置于所述層間絕緣膜的開口部中與所述控制晶體管的源電極和所述p型半導體層連接。

8.根據權利要求1～7中的任意一項所述的半導體發光裝置，其特征在于，

所述半導體發光裝置還具有透明電極，該透明電極在所述發光區域的上方配置于所述層疊體與所述層間絕緣膜之間，且與所述p型半導體層接觸。