[發明專利]一種具有隧道結結構的氮極性面發光二極管有效
| 申請號： | 201310464192.7 | 申請日： | 2013-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN103489975A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 張雄;楊旭;崔一平 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 211102 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 隧道 結構 極性 發光二極管 | ||
1.一種具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：包括由下至上依次設置的藍寶石襯底（101）、低溫成核層（102）、非摻雜半導體層（103）、n型半導體層（104）、多量子阱有源層（105）、p-AlGaN電子阻擋層（106）、p型半導體層（107）、p+-GaN層（108）、非摻雜InxAlyGa1-x-yN層（109）、n型超晶格結構層（110）和金屬電極（111），所述p+-GaN層（108）、非摻雜InxAlyGa1-x-yN層（109）和n型超晶格結構層（110）共同構成p-i-n隧道結結構。
2.根據權利要求1所述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述藍寶石襯底（101）為朝M或A面方向具有0.5～5°斜切角的C面晶體。
3.根據權利要求1所述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述n型超晶格結構層（110）為具有一定重復周期長度和數量的n型AlGaN/GaN超晶格結構層。
4.根據權利要求3述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述n型AlGaN/GaN超晶格結構層利用Si進行摻雜，其中Si的摻雜濃度為1×1017cm-3以上。
5.根據權利要求3述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述n型AlGaN/GaN超晶格結構層中AlGaN層與GaN層的厚度均在0.5～7nm之間。
6.根據權利要求3述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述n型AlGaN/GaN超晶格結構層的重復周期數為1～10個。
7.根據權利要求1所述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述非摻雜InxAlyGa1-x-yN層（109）中，下標滿足如下要求：0≤x≤1，0≤y≤1，x+y=1。
8.根據權利要求1所述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述非摻雜InxAlyGa1-x-yN層（109）的厚度為0.5～10nm。
9.根據權利要求1所述的具有隧道結結構的氮極性面發光二極管，其特征在于：所述p+-GaN層（108）利用Mg摻雜，其中Mg的摻雜濃度為1×1017cm-3以上。
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