[發(fā)明專利]電子照相感光體、處理盒和成像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310464150.3
• 申請日: 2013-10-08
• 公開（公告）號: CN104076624B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發(fā)明（設計）人: 平方昌記;勝原秀彌;巖永剛;鳥越誠之;今井孝史;佐佐木知也;橋場成人;井手健太
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: G03G5/047
• 分類號: G03G5/047;G03G5/147;G03G21/18;G03G15/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;常海濤

本發(fā)明提供了一種電子照相感光體，其包括：導電性基體；有機感光層，該有機感光層提供在所述導電性基體上；以及無機保護層，該無機保護層提供在所述有機感光層上以便于與所述有機感光層接觸，其中所述有機感光層在與所述無機保護層接觸的表面一側區(qū)域上至少包括電荷輸送材料和二氧化硅顆粒。本發(fā)明還提供了包括該電子照相感光體的處理盒和成像裝置。在本發(fā)明的電子照相感光體中，無機保護層的破裂和殘余電位的產生受到抑制。

技術領域

本發(fā)明涉及電子照相感光體、處理盒和成像裝置。

背景技術

電子照相法廣泛用于復印機、打印機等中。

近來，人們討論了涉及用于電子照相成像裝置的電子照相感光體（下文中也稱為“感光體”）的技術，其中在感光體的感光層表面上形成表面層（保護層）。

例如，已經公開了由類金剛石碳（DLC）、非晶態(tài)氮化碳（CN）、非晶態(tài)氮化硅、氧化鋁或氧化鎵形成的硬膜作為感光體的表面層（例如參見日本專利文獻JP-A-2-110470(專利文獻1)、日本專利文獻JP-A-2003-27238(專利文獻2)、日本專利文獻JP-A-11-186571(專利文獻3)、日本專利文獻JP-A-2006-267507(專利文獻4)和日本專利文獻JP-A-2008-268266(專利文獻5)）。

另外，也已經公開了至少在導電性支持體上包括感光層的有機感光體。該有機感光體包括這樣的表面層，該表面層包含數均一次粒徑為3nm至150nm的無機顆粒，并且具有0.001至0.018的表面粗糙度Ra以及0.02μm至0.08μm的十點表面粗糙度Rz（例如，參見日本專利文獻JP-A-2006-010921(專利文獻6)）。

另外，也已經公開了這樣的電子照相感光體，該電子照相感光體包括直接設置于導電性支持體上的感光層，或者在感光層與導電性支持體之間插入有底涂層。在該電子照相感光體中，感光層至少包含電荷發(fā)生材料、電荷輸送材料、以及具有六方密堆積晶格作為晶體結構的無機填料；并且感光層中位于表面?zhèn)龋ň嚯x導電性支持體側最遠）的無機填料的含量最大（例如，參見日本專利文獻JP-A-2003-098700(專利文獻7)）。

另外，也已經公開了包括保護層的電子照相感光體，其中保護層包括含有數均粒徑為5nm至200nm的顆粒的粗糙表面，以及硬度為2GPa至7GPa（用納米壓痕方法測量）的沉積層（例如，參見日本專利文獻JP-A-2009-204922(專利文獻8)）。

發(fā)明內容

本發(fā)明的一個目的在于提供一種電子照相感光體，在該電子照相感光體中，無機保護層的破裂和殘余電位的產生受到抑制。

根據本發(fā)明的第一個方面，提供了一種電子照相感光體，其包括：導電性基體；有機感光層，其設置在所述導電性基體上；以及無機保護層，其設置在所述有機感光層上，以便于與所述有機感光層的表面接觸，其中所述有機感光層在與所述無機保護層接觸的表面?zhèn)葏^(qū)域中至少包含電荷輸送材料和二氧化硅顆粒。

根據本發(fā)明的第二個方面，在根據第一個方面的電子照相感光體中，其中所述有機感光層依次包括位于導電性基體上的電荷發(fā)生層和電荷輸送層，其中該電荷輸送層包含電荷輸送材料和二氧化硅顆粒。

根據本發(fā)明的第三個方面，在根據第二個方面的電子照相感光體中，其中所述二氧化硅顆粒的含量占所述電荷輸送層總重量的30重量%至70重量%。

根據本發(fā)明的第四個方面，在根據第二或第三個方面的電子照相感光體中，所述二氧化硅顆粒的含量大于所述電荷輸送材料的含量。

根據本發(fā)明的第五個方面，在根據第二至第四個方面中任意一項所述的電子照相感光體中，相對于除去所述二氧化硅顆粒的重量之后的所述電荷輸送層的全部成分的重量，所述電荷輸送材料的含量為40重量%至60重量%。