[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201310463937.8 | 申請日: | 2013-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN104078483B | 公開(公告)日: | 2019-10-08 |
| 發明(設計)人: | 任相薰;金星民;曺觀鉉;金慶昊;崔俊呼;鄭鎮九;宋英宇 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
有機發光顯示裝置包括:襯底;封裝構件,面向所述襯底;多個像素,位于所述襯底與所述封裝構件之間,每個像素包括發光區域和非發射區域;第一電極,至少與所述發光區域重疊;中間層,位于所述第一電極上并且包括有機發射層;第二電極,位于所述中間層上;以及反射構件,位于所述封裝構件的底面上,所述封裝構件的底面面向所述襯底,并且所述反射構件包括與所述發光區域對應的開口和位于所述開口的周圍并且與所述非發射區域對應的反射表面。
相關專利申請的交叉引用
本申請要求于2013年3月29日向韓國專利局提交的第10-2013-0034648號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。
技術領域
示例性實施方式涉及有機發光顯示裝置,更具體地,涉及能夠提高用戶便利性的有機發光顯示裝置。
背景技術
最近,顯示裝置已經被可便攜的薄的平板顯示裝置所替代。在這些平板顯示裝置中,有機發光顯示裝置是具有寬視角、高對比度和快速響應速度的自發射型顯示裝置。因此,有機發光顯示裝置被認為是下一代顯示裝置。
傳統的有機發光顯示裝置可包括中間層、第一電極和第二電極。中間層可包括有機發射層,并且當電壓被施加至第一和第二電極時,有機發射層發出光,例如可見光線。
發明內容
示例性實施方式提供了一種能夠容易地提高用戶便利性的有機發光顯示裝置。
根據示例性實施方式的一方面,提供了一種有機發光顯示裝置,其包括:襯底;封裝構件,面向所述襯底;多個像素,位于所述襯底與所述封裝構件之間,每個像素包括發光區域和非發射區域;第一電極,至少與所述發光區域重疊;中間層,位于所述第一電極上并且包括有機發射層;第二電極,位于所述中間層上;以及反射構件,位于所述封裝構件的底面上,所述封裝構件的底面面向所述襯底,并且所述反射構件包括:與所述發光區域對應的開口和位于所述開口的周圍并且與所述非發射區域對應的反射表面。
所述有機發光顯示裝置還可包括位于所述非發射區域上且被設置為與所述反射表面重疊的傳輸區域。
所述傳輸區域可公用地形成于多個像素中的至少兩個像素上。
所述第二電極可包括傳輸窗以與所述傳輸區域對應。
每個所述像素可包括至少一個絕緣層,所述至少一個絕緣層包括傳輸窗以與所述傳輸區域對應,所述第二電極可包括傳輸窗以與所述傳輸區域對應,所述絕緣層的傳輸窗和所述第二電極的傳輸窗具有彼此相同的圖案。
所述反射構件的反射表面可具有鏡面反射性質。
所述反射構件的反射性可為所述發光區域的平均反射率的約90%至約110%。
所述反射構件的反射表面的關于波長為約700nm至800nm的光的反射率可大于關于波長為約400nm至500nm的光的反射率。
所述反射構件可包括Ni、Cr、W、V或Mo。
每個所述像素可包括被配置為驅動所述發光區域的像素電路單元,所述像素電路單元可被配置為與所述發光區域重疊。
每個所述像素可包括位于所述非發射區域上的電路區域和用于驅動所述發光區域的像素電路單元,所述像素電路單元可位于所述電路區域上。
每個所述像素可包括用于驅動所述發光區域的像素電路單元,并且所述像素電路單元可包括電連接至所述第一電極的薄膜晶體管并且可包括有源層、柵極、源極和漏極。
附圖說明
通過參考附圖詳細描述實施方式,示例性實施方式的上述和其它特征和優點將變得更加顯而易見,在附圖中:
圖1是根據一個實施方式的有機發光顯示裝置的示意性截面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





