[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 201310463652.4
• 申請日: 2001-09-13
• 公開（公告）號: CN103551745B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 福世文嗣;福滿憲志;內山直己;和久田敏光
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: B23K26/40
• 分類號: B23K26/40;B23K26/06;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/073
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 楊琦

1.一種激光加工方法，其特征在于：

在晶片狀加工對象物的內部對準聚光點，在聚光點中的峰值功率密度為1×10⁸（W／cm²）以上的條件下照射激光，從而在不熔融所述加工對象物的表面的情況下，僅在所述加工對象物的內部形成沿著所述加工對象物的切割預定線延伸并且延伸方向上的一端以及另一端到達至所述加工對象物的外延的改質區，從而以所述改質區為起點發生裂紋，并使裂紋到達所述加工對象物的表面以及背面，從而沿著所述切割預定線切割所述加工對象物。

2.如權利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區分別沿著第一切割預定線以及第二切割預定線形成，

第一切割預定線在所述加工對象物上在第一方向上延伸，

第二切割預定線在所述加工對象物上在與第一方向交叉的第二方向上延伸。

3.如權利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是半導體材料基板。

4.如權利要求2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是半導體材料基板。

5.如權利要求3所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是從單晶體構造變化為非晶體構造的區域、從單晶體構造變化為多晶體構造的區域、或者從單晶體構造變化為包括非晶體構造以及多晶體構造的區域的熔融處理區。

6.如權利要求4所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是從單晶體構造變化為非晶體構造的區域、從單晶體構造變化為多晶體構造的區域、或者從單晶體構造變化為包括非晶體構造以及多晶體構造的區域的熔融處理區。

7.如權利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是熔融處理區。

8.如權利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是裂紋區。

9.如權利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是折射率變化區。

10.如權利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是玻璃基板。

11.如權利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是壓電材料基板。

12.一種激光加工方法，其特征在于：

在晶片狀加工對象物的內部對準聚光點，在聚光點中的峰值功率密度為1×10⁸（W／cm²）以上的條件下照射激光，從而在不熔融所述加工對象物的表面的情況下，僅在所述加工對象物的內部形成沿著所述加工對象物的直線狀的切割預定線延伸并且延伸方向上的一端以及另一端到達至所述加工對象物的外延的改質區，從而以所述改質區為起點發生裂紋，并使裂紋到達所述加工對象物的表面以及背面，從而沿著所述切割預定線切割所述加工對象物。

13.如權利要求12所述的激光加工方法，其特征在于：

通過對所述加工對象物施加應力，以所述改質區為切割的起點沿著所述切割預定線切割所述加工對象物。

14.如權利要求12所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是半導體材料基板。

15.如權利要求13所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物是半導體材料基板。

16.如權利要求14所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是從單晶體構造變化為非晶體構造的區域、從單晶體構造變化為多晶體構造的區域、或者從單晶體構造變化為包括非晶體構造以及多晶體構造的區域的熔融處理區。

17.如權利要求15所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是從單晶體構造變化為非晶體構造的區域、從單晶體構造變化為多晶體構造的區域、或者從單晶體構造變化為包括非晶體構造以及多晶體構造的區域的熔融處理區。

18.如權利要求12或13所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改質區是熔融處理區。