[發(fā)明專利]電容式MEMS壓力傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310463120.0 | 申請日： | 2013-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN104515640A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 夏長奉;周國平;錢棟彪 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G01L9/12 | 分類號： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人： | 彭益波 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電容 mems 壓力傳感器 | ||
1.電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于,包括：
襯底；
檢測薄膜，固定鋪設(shè)于所述襯底的上表面上；所述襯底上設(shè)有使檢測薄膜與外界工作介質(zhì)接觸并承受其壓力的通孔或溝槽；
具有引線的上電極板，其固定連接于所述襯底的上表面上或所述檢測薄膜上，并位于所述檢測薄膜上方且與所述檢測薄膜之間形成間隙；
具有引線的下電極板，其固定設(shè)置于所述檢測薄膜上，并位于所述檢測薄膜與所述上電極板之間的間隙中，所述下電極板與所述上電極板構(gòu)成電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述下電極板的中部與所述檢測薄膜點(diǎn)連接或通過一凸起或柱體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述檢測薄膜為導(dǎo)體，并設(shè)有引線，所述上電極板與所述檢測薄膜之間形成腔室，所述上電極板上設(shè)置有至少一個(gè)貫穿的釋放孔，所述下電極板位于所述腔室中并與所述檢測薄膜通過絕緣材料連接，所述上電極板固定連接于所述襯底的上表面上或通過絕緣材料連接于所述檢測薄膜上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述下電極板下表面幾何中心處向下延伸形成一連接部，所述連接部與所述檢測薄膜的工作部上表面的幾何中心處通過絕緣層固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述襯底從上到下依次為氮化硅層、二氧化硅層和硅，所述檢測薄膜設(shè)置于所述氮化硅層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述檢測薄膜為多晶硅薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述上電極板和下電極板均為多晶硅制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述絕緣層為氮化硅制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述上電極板的縱向中軸剖面為n形，將所述下電極板罩設(shè)于其內(nèi)腔中，其內(nèi)部上底面為平面，并與所述下電極板構(gòu)成電容。
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