[發明專利]一種芯片鍵合對準方法在審
| 申請號： | 201310463023.1 | 申請日： | 2013-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN103500716A | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發明（設計）人： | 宋崇申 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 對準 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片鍵合對準方法，具有如下特征：
在加工有用于芯片組裝的金屬焊接盤的下層芯片或晶圓上設置限位結構；
所述限位結構突出于下層芯片或晶圓表面，利用所述限位結構的輔助，實現芯片對準鍵合；
在鍵合對準過程中，至少一個所述限位結構的內壁與芯片邊緣接觸。
2.根據權利要求1所述的芯片鍵合對準方法，其特征在于：所述限位結構為多個板狀或柱狀突起。
3.根據權利要求1所述的芯片鍵合對準方法，其特征在于：所述限位結構經由電鍍的方式形成。
4.根據權利要求1所述的芯片鍵合對準方法，其特征在于：在加工所述限位結構的工藝過程中，還同時加工其他并非用于限位的金屬柱。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
