[發明專利]三級整流半橋

在審

• 申請號: 201310462933.8
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103715915A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 英戈·施陶特;阿倫特·溫特里希
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.一種具有第一基板（2）和與第一基板（2）分開布置的第二基板（3）的三級整流半橋，

其中，所述第一基板（2）具有第一絕緣材料體（6a）和布置在所述第一絕緣材料體（6a）上的、導電的、結構化的第一線路層（7a），其中，第一功率半導體開關（T1）、第二功率半導體開關（T2）、第一二極管（D1）和第一二極管組件（10）布置在所述結構化的第一線路層（7a）上并且與所述結構化的第一線路層（7a）連接；

其中，所述第二基板（3）具有第二絕緣材料體（6b）和布置在所述第二絕緣材料體（6b）上的、導電的、結構化的第二線路層（7b）；

其中，第三功率半導體開關（T3）、第四功率半導體開關（T4）、第二二極管（D2）和第二二極管組件（11）布置在所述結構化的第二線路層（7b）上并且與所述結構化的第二線路層（7b）連接；

其中，所述第一功率半導體開關（T1）的第二負載電流接頭（E）與所述第二功率半導體開關（T2）的第一負載電流接頭（C）導電地連接；

其中，所述第四功率半導體開關（T4）的第一負載電流接頭（C）與所述第三功率半導體開關（T3）的第二負載電流接頭（E）導電地連接；

其中，所述第一二極管（D1）的陰極與所述第一功率半導體開關（T1）的第二負載電流接頭（E）導電地連接；

其中，所述第二二極管（D2）的陽極與所述第三功率半導體開關（T3）的第二負載電流接頭（E）導電地連接；

其中，所述第二功率半導體開關（T2）的第二負載電流接頭（E）與所述第一二極管組件（10）的陰極接頭導電地連接；

其中，所述第三功率半導體開關（T3）的第一負載電流接頭（C）與所述第二二極管組件（11）的陽極接頭導電地連接；

其中，所述第一功率半導體開關（T1）的第一負載電流接頭（C）與所述第二二極管組件（11）的陰極接頭導電地連接；

其中，所述第四功率半導體開關（T4）的第二負載電流接頭（E）與所述第一二極管組件（10）的陽極接頭導電地連接；

其中，所述第一二極管（D1）的陽極與所述第二二極管（D2）的陰極導電地連接；

其中，所述第二功率半導體開關（T2）的第二負載電流接頭（E）與所述第三功率半導體開關（T3）的第一負載電流接頭（C）導電地連接。

2.根據權利要求1所述的三級整流半橋，其特征在于，所述第一二極管組件（10）具有第五和第六二極管（D5、D6），其中，所述第六二極管（D6）的陰極與所述第五二極管（D5）的陽極導電地連接，并且，所述第二二極管組件（11）具有第三和第四二極管（D3、D4），其中，所述第四二極管（D4）的陰極與所述第三二極管（D3）的陽極導電地連接。

3.根據權利要求2所述的三級整流半橋，其特征在于，所述第一二極管（D1）的陰極與所述第四二極管（D4）的陰極不導電地連接并且所述第六二極管（D6）的陰極與所述第二二極管（D2）的陽極不導電地連接。

4.根據權利要求1所述的三級整流半橋，其特征在于，所述第一二極管組件（10）以單個二極管（D7）的形式構造并且所述第二二極管組件以單個二極管（8）的形式構造。