[發明專利]一種高頻晶界層陶瓷電容器介質及其制備方法

有效

• 申請號: 201310462413.7
• 申請日: 2013-10-08
• 公開（公告）號: CN103524127A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 黃新友;李軍;高春華
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C04B35/47
• 分類號: C04B35/47;C04B35/622
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種高頻晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于所述介質組成按照重量百分比計算為：(Sr_0.96Ba_0.04)TiO_3?88-96%，Ba(Li_1/4Nb_3/4)O_3?0.1-3%，Dy₂O_3?0.1-4%，SiO₂?0.1-2.0%，Al₂O₃0.1-2.5%，SrCO₃0.03-2.0%，ZnO-Li₂O-Bi₂O₃玻璃粉0.1-2.0%，CuO0.01-2%；其中(Sr_0.96Ba_0.04)TiO₃、Ba(Li_1/4Nb_3/4)O₃和ZnO-Li₂O-Bi₂O₃玻璃粉分別是采用常規的化學原料以固相法合成。

2.如權利要求1所述的一種高頻晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于：所述介質耐電壓較高，直流耐電壓為6.2-6.9kV/mm；介電常數高，為30103-31515；色散頻率(f_m)為2.1-2.8GHz；介質損耗為78-86×10^-4；電容溫度變化率小，符合X7R特性的要求；絕緣電阻為70-85×10¹⁰Ω·cm。

3.如權利要求1所述的一種高頻晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于：所述的(Sr_0.96Ba_0.04)TiO₃是采用如下工藝制備的：將常規的化學原料SrCO₃和BaCO₃和TiO₂按0.96：0.04：1摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于1250~1280℃保溫120分鐘，固相反應合成(Sr_0.96Ba_0.04)TiO₃，冷卻后研磨過200目篩，備用。

4.???如權利要求1所述的一種高頻晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于：所述的Ba(Li_1/4Nb_3/4)O₃是采用如下工藝制備的：將常規的化學原料BaCO₃和Li₂CO₃和Nb₂O₅按1：1/8：3/8摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于700℃保溫120分鐘，固相反應合成Ba(Li_1/4Nb_3/4)O₃，冷卻后研磨過200目篩，備用。

5.如權利要求1所述的一種高頻晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于：所述的ZnO-Li₂O-Bi₂O₃玻璃粉是采用如下工藝制備的：將常規的化學原料ZnO和Li₂CO₃和Bi₂O₃按1：0.5：0.5摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于600-650℃保溫120分鐘，然后在水中淬冷，冷卻后得到ZnO-Li₂O-Bi₂O₃玻璃粉,研磨過200目篩，備用。