[發(fā)明專利]晶片疊層體、器件晶片及承載晶片的粘合及剝離處理方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310462164.1 | 申請日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN103715126A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡成芫;徐榮得;安興基;太景燮;金光武 | 申請(專利權(quán))人: | 怡諾士有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 楊生平;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 疊層體 器件 承載 粘合 剝離 處理 方法 | ||
1.一種疊層體,其特征在于,包括:
器件晶片;
保護(hù)層,其形成于上述器件晶片的一面;
承載晶片,其用于支撐上述器件晶片;
填充層,其形成于上述承載晶片的一面;以及
光分解層,其形成于上述填充層上的一部分,與上述保護(hù)層相接觸,來使器件晶片與承載晶片臨時接合。
2.一種疊層體,其特征在于,包括:
器件晶片;
承載晶片,其用于支撐上述器件晶片;
保護(hù)層,其形成于上述承載晶片的一面;
填充層,其形成于上述器件晶片的一面;以及
光分解層,其形成于上述填充層上的一部分,與上述保護(hù)層相接觸,來使器件晶片與承載晶片臨時接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述光分解層形成于上述填充層上的邊緣部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層體,其特征在于,上述光分解層以5mm以下的寬度形成于上述填充層上的邊緣部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述保護(hù)層包含固化型硅酮樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述填充層包含氨基甲酸乙酯丙烯酸類樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述填充層通過涂敷用光聚合性單體稀釋的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述填充層包含0.05~15重量%的光聚合引發(fā)劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述光分解層由包含吸光劑、分散溶劑以及粘結(jié)劑樹脂的物質(zhì)形成,并具有50~500gf/inch的粘合力。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的疊層體,其特征在于,上述吸光劑包含碳黑、碳納米管以及黑鉛納米粉末中的一種以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的疊層體,其特征在于,上述分散溶劑包含甲基乙基甲酮、甲基異丁基甲酮、甲醇、乙醇、異丙醇、甲苯以及環(huán)己酮中的一種以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的疊層體,其特征在于,上述粘結(jié)劑樹脂包含丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂以及聚氨基甲酸乙酯類樹脂中的一種以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述器件晶片由包含硅的物質(zhì)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體,其特征在于,上述承載晶片由包含玻璃以及丙烯酸類材料中的一種以上的物質(zhì)形成。
15.一種疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟(a),在器件晶片的一面形成保護(hù)層;
步驟(b),在承載晶片的一面形成填充層;
步驟(c),在上述填充層上的一部分形成光分解層;
步驟(d),接合上述保護(hù)層和上述光分解層,來使上述器件晶片和上述承載晶片臨時接合;以及
步驟(e),向上述光分解層照射激光,來使上述器件晶片和上述承載晶片分離。
16.一種疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟(a),在承載晶片的一面形成保護(hù)層;
步驟(b),在器件晶片的一面形成填充層;
步驟(c),在上述填充層上的一部分形成光分解層;
步驟(d),接合上述保護(hù)層和上述光分解層,來使上述器件晶片和上述承載晶片臨時接合;
步驟(e),向上述光分解層照射激光,來使上述器件晶片和上述承載晶片分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,在上述步驟(c)中,在上述填充層上的邊緣部分形成光分解層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,在上述步驟(e)中,向上述承載晶片上的邊緣部分照射激光,來向上述光分解層照射激光。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,在上述步驟(e)中,向上述器件晶片上的邊緣部分照射激光,來向上述光分解層照射激光。
20.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的疊層體的粘合及剝離處理方法,其特征在于,在上述步驟(e)中,向上述光分解層照射上述激光,并將插入體插入在上述光分解層和上述保護(hù)層之間之后,分離上述器件晶片和上述承載晶片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





