[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201310461931.7 | 申請日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN103794625B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 李善熙;金貞娟 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,包括:
包含多個像素區的基板;
設置在所述基板上的第一鈍化層;
形成在第一鈍化層上的有機發光二極管,包含:
形成在第一鈍化層上的第一電極,
形成在第一電極上并限定發光區的第一絕緣膜,
有機層,和
形成在所述有機層上的所述有機發光二極管的第二電極;
第一粘合增強圖案,設置在第一絕緣膜的端部或邊緣且布置在第一鈍化層上,使得第一絕緣膜的端部不與第一鈍化層接觸;以及
覆蓋所述有機發光二極管的第二鈍化層。
2.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案從第一絕緣膜的端部或邊緣延伸并接觸第二鈍化層。
3.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一鈍化層在第一電極和第一粘合增強圖案之間與第一絕緣膜接觸。
4.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案不接觸第二鈍化層而延伸。
5.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案包括金屬氧化物材料。
6.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案包括與第一電極的材料相同的材料。
7.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案包括凹凸不平的上表面。
8.權利要求7所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案的凹凸不平的上表面包括多個狹縫。
9.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一鈍化層和第二鈍化層將第一粘合增強圖案和有機發光二極管包圍在它們之間。
10.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一電極朝向第一絕緣膜的端部或邊緣延伸,以形成第一粘合增強圖案,使得第一絕緣膜的端部或邊緣不與第一鈍化層接觸。
11.權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,還包括:
第二絕緣膜,與第一絕緣膜的輪廓相對地形成在第一鈍化層上,并與第一絕緣膜分離;
第二粘合增強圖案,設置在第二絕緣膜的端部或邊緣且布置在第一鈍化層上,使得第二絕緣膜的端部不與第一鈍化層接觸。
12.權利要求11所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第二絕緣膜形成圍繞第一絕緣膜的閉合回路。
13.權利要求11所述的有機發光二極管顯示裝置,其中第一粘合增強圖案和第二粘合增強圖案包括與第一電極的材料相同的材料。
14.一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法,所述方法包括:
形成包含多個像素區的元件基板;
在元件基板上形成第一鈍化層;
在第一鈍化層上形成有機發光二極管的第一電極;
在第一鈍化層上形成第一粘合增強圖案,使得第一絕緣膜的端部或邊緣不與第一鈍化層接觸;
在第一電極上形成第一絕緣膜;
在第一絕緣膜上形成有機層;
在所述有機層上形成所述有機發光二極管的第二電極;以及
在第二電極上形成第二鈍化層。
15.權利要求14所述的方法,其中形成第一粘合增強圖案包括使用半色調掩模形成第一粘合增強圖案,以使第一粘合增強圖案的上表面具有凹凸不平結構。
16.權利要求14所述的方法,其中形成第一粘合增強圖案包括用與第一電極的材料相同的材料形成第一粘合增強圖案。
17.權利要求14所述的方法,其中形成第一粘合增強圖案包括與第一電極同時形成第一粘合增強圖案。
18.權利要求14所述的方法,還包括圖案化最初與第一電極相連的第一粘合增強圖案。
19.權利要求14所述的方法,其中形成第一粘合增強圖案包括使第一電極朝向第一絕緣膜的端部或邊緣延伸,以形成第一粘合增強圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





