[發(fā)明專利]一種抗側擺三維引線成弧方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310461814.0
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103500715A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設計）人: 王福亮;陳云;韓雷;李軍輝
• 申請（專利權）人: 中南大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 長沙市融智專利事務所 43114
• 代理人: 黃美成

1.一種抗側擺三維引線成弧方法，其特征在于，以P點所在的芯片焊盤（3）的表面作為XPY平面，以P點所在的與XOY平面垂直的平面作為XOZ平面，將XOZ平面沿Y軸負方向平行移動得到的平面記為第一平行平面即X′O′Z′平面，X′O′Z′平面關于XOZ平面對稱的平面記為第二平行平面；

包括以下步驟：

步驟1：在芯片焊盤中心點位置（4）P點形成第一焊點；

步驟2：劈刀（5）在XOZ平面上從P點沿Z軸垂直向上運動50-200微米至A點，同時釋放出引線PA段；接著，劈刀（5）在XOZ平面從A點沿X軸負方向水平移動50-400微米至B點，同時釋放出引線AB段；

步驟3：劈刀（5）從XOZ平面上的B點運動到X′O′Z′平面上的C點，同時釋放引線BC段，B點的Z軸坐標正向增加1000-1500微米，Y軸坐標減少50-200微米，X軸坐標不變；接著劈刀（5）從X′O′Z′平面上的C點沿X軸正向運動100-400微米至D點，同時釋放出引線CD段；

步驟4：劈刀（5）在X′O′Z′平面上的D點沿直線運動至X′O′Z′平面上的E點，同時釋放引線DE段，D點的Z軸坐標增加1500-2000微米，Y軸坐標增加100-400微米，X軸坐標不變；

步驟5：劈刀（5）以P點投影到第二平行平面上的點為圓心，PE長度為半徑，從第二平行平面上的E點沿圓軌跡逆時針向下做大于角度S的運動到達F點，同時釋放引線EF段；劈刀（5）以P點投影到第二平行平面上的點為中心，短軸為0F的長度，長軸為PF長度的1.1倍，從第二平行平面上的F點沿橢圓軌跡順時針向上做大于角度S到達G點，同時釋放引線FG段；

步驟6：劈刀（5）從第二平行平面上的G點沿直線運動至XOZ平面上的H點，同時釋放引線GH段，G點的Z軸坐標增加與PA的長度相同，Y軸坐標變?yōu)?，X軸坐標不變；接著，在XOZ平面上，劈刀（5）沿X軸正向移動至I點，HI長度與GH的長度相同；最后，以與步驟1中的芯片焊盤（3）相連的框架焊盤（7）中點為K點，劈刀（5）在XOZ平面上沿圓弧軌跡運動至K點，同時釋放引線IK段，即完成從芯片焊盤到框架焊盤之間的引線搭建。

2.根據(jù)權利要求1所述的抗側擺三維引線成弧方法，其特征在于，所述步驟5中的角度S的取值范圍是135°-165°。