[發(fā)明專利]磁頭、磁記錄再現(xiàn)裝置及磁頭的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310461793.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN104240722A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹尾昭彥;柏木一仁;山田健一郎;鴻井克彥;船山知己
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): G11B5/31
• 分類號(hào): G11B5/31
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種磁頭，其特征在于，具備：

第一再現(xiàn)元件；

第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成；

第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成；

第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成；

第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和

第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于，

所述第一再現(xiàn)元件及所述第二再現(xiàn)元件是自旋閥型的隧道磁阻效果式的再現(xiàn)元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜是偏壓膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜被起磁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于，

所述第一再現(xiàn)元件及所述第二再現(xiàn)元件的每個(gè)都具備：將第一磁化自由層、非磁性金屬層和與所述第一磁化自由層磁結(jié)合的第二磁化自由層層疊的層疊結(jié)構(gòu)；和對(duì)于所述層疊結(jié)構(gòu)從介質(zhì)相對(duì)面在進(jìn)深方向上設(shè)置的磁化起磁偏壓膜，

所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜包括軟磁性體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于，

還具備：

第三再現(xiàn)元件，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第三磁性膜上形成；

第五磁性膜，其在所述第三磁性膜上形成；和

第六磁性膜，其與所述第三再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第二再現(xiàn)元件上形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于，

所述第一再現(xiàn)元件、所述第二再現(xiàn)元件及所述第三再現(xiàn)元件是自旋閥型的隧道磁阻效果式的再現(xiàn)元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜是偏壓膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜被起磁。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于，

所述第一再現(xiàn)元件、所述第二再現(xiàn)元件及所述第三再現(xiàn)元件的每個(gè)都具備：將第一磁化自由層、非磁性金屬層和與所述第一磁化自由層磁結(jié)合的第二磁化自由層層疊的層疊結(jié)構(gòu)；和對(duì)于所述層疊結(jié)構(gòu)從介質(zhì)相對(duì)面在進(jìn)深方向上設(shè)置的磁化起磁偏壓膜，

所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜包括軟磁性體。

7.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，具備磁頭，其特征在于，

所述磁頭具備：

第一再現(xiàn)元件；

第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成；

第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成；

第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成；

第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和

第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。

8.一種磁頭的制造方法，其特征在于，

在第一磁屏蔽件上形成第一再現(xiàn)元件層，

在所述第一再現(xiàn)元件膜上，有選擇地形成用于將所述第一再現(xiàn)元件膜加工為規(guī)定的尺寸的第一掩模材料，

通過使用所述第一掩模材料來作為掩模將所述第一再現(xiàn)元件層及所述第一磁屏蔽件蝕刻，而形成由所述第一再現(xiàn)元件層構(gòu)成的第一再現(xiàn)元件，并在所述第一再現(xiàn)元件的兩側(cè)部的所述第一磁屏蔽件形成凹部，

在所述凹部上及所述第一再現(xiàn)元件的側(cè)部上形成第一絕緣層，

在所述第一絕緣層上形成第一磁性膜，

有選擇地除去所述第一掩模材料，

在所述第一絕緣層、所述第一磁性膜及所述第一再現(xiàn)元件上形成第二再現(xiàn)元件層，

在所述第二再現(xiàn)元件層上且不與所述第一再現(xiàn)元件重疊的位置處有選擇地形成第二掩模材料，

通過使用所述第二掩模材料來作為掩模將所述第二再現(xiàn)元件層蝕刻，而形成第二再現(xiàn)元件，

在所述第二再現(xiàn)元件的側(cè)面形成第二絕緣層，

在所述第一磁性膜、所述第一絕緣層及所述第一再現(xiàn)元件上形成第二磁性膜，

在所述第二磁性膜上形成第三絕緣層，

有選擇地除去所述第二掩模材料，

在所述第三絕緣層及所述第二再現(xiàn)元件上形成第三磁性膜。