[發明專利]一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器有效
| 申請號： | 201310461747.2 | 申請日： | 2013-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN103474503A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | 康俊勇;高娜;黃凱;陳雪;林偉;李書平;陳航洋;楊旭;李金釵 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 劉勇 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 二維 晶格 紫外 波長 msm 光電 探測器 | ||
1.一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于包括襯底、具有量子能級的二維晶格和金屬叉指電極；
所述二維晶格在襯底上交替生長，交替生長的周期為至少20個；每個交替生長周期的二維晶格由第一介質膜層與第二介質膜層形成，第一介質膜層的禁帶落在第二介質膜層的禁帶中，成為半導體Ⅰ類超晶格，第一介質膜層作為勢阱，第二介質膜層作為勢壘，金屬叉指電極與二維晶格形成肖特基接觸。
2.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述襯底為同質襯底或異質襯底。
3.如權利要求2所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述同質襯底為氮化鎵或氮化鋁單晶。
4.如權利要求2所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述異質襯底為藍寶石或碳化硅。
5.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述交替生長的周期為20～200個。
6.如權利要求5所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述交替生長的周期為80～110個。
7.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述第一介質膜層為氮化鎵單晶或鋁鎵氮混晶。
8.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述第二介質膜層為氮化鋁單晶或鋁鎵氮混晶。
9.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述金屬叉指電極為鈦/金、鎳/金或鈦/鉑/金組合。
10.如權利要求1所述的一種基于二維晶格的紫外單波長MSM光電探測器，其特征在于所述的異質襯底表面外延生長有AlN基質層，AlN基質層厚度為100nm～1μm，AlN基質層作為緩沖層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
