[發(fā)明專利]確定光刻曝光離焦量的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310461184.7 | 申請日： | 2013-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN103488060A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 毛智彪;智慧 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 確定 光刻 曝光 離焦量 方法 | ||
1.一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S01，在硅片上選取用于形成具有目標線寬的光刻膠線條；
步驟S02，經(jīng)曝光和顯影后，量測不同曝光區(qū)內(nèi)所述光刻膠線條的線寬和側墻寬度；
步驟S03，制作所述光刻膠線條線寬的Bossung曲線以及所述光刻膠線條側墻寬度的Bossung曲線；
步驟S04，根據(jù)可接受的所述光刻膠線條線寬與目標線寬的差值范圍，在所述光刻膠線條線寬Bossung曲線上確定第一曝光離焦量區(qū)域，以及
根據(jù)可接受的所述光刻膠線條側墻寬度范圍，在所述光刻膠線條側墻寬度Bossung曲線上確定第二曝光離焦量區(qū)域；
步驟S05，然后，于所述第一曝光離焦量區(qū)域內(nèi)選取第一離焦量，第二曝光離焦量區(qū)域內(nèi)選取第二離焦量，并取所述第一離焦量和第二離焦量的平均值，就得到光刻曝光離焦量。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述光刻膠線條位于所述硅片的主圖形區(qū)或監(jiān)測圖形區(qū)。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述光刻膠線條為孤立線條或密集線條。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述量測不同曝光區(qū)內(nèi)所述光刻膠線條的線寬和側墻寬度是用掃描式電子顯微鏡來量測的。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述不同曝光區(qū)內(nèi)的離焦量不同，其他條件均相同。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述第一離焦量為所述光刻膠線條線寬Bossung曲線上線條線寬與目標線寬差值最小處。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種確定光刻曝光離焦量的方法，其特征在于，所述第二離焦量為所述光刻膠線條側墻寬度Bossung曲線上側墻寬度最小處。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310461184.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
