[發明專利]硅基液晶面板的制作方法

有效

• 申請號: 201310460926.4
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104516138B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 李新;戚德奎;陳政
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及液晶面板領域，特別涉及一種硅基液晶面板的制作方法。

背景技術

LCOS(Liquid Crystal On Silicon)技術是2000年以后發展起來的一種新型的液晶顯示技術，也稱之為硅基液晶顯示技術或反射式液晶顯示技術。與傳統的薄膜晶體管液晶面板(TFT-LCD)相比，硅基液晶顯示面板具有高分辨力、高對比度、高開口率、低成本等優點。

圖1～圖6為現有硅基液晶顯示面板形成過程的剖面結構示意圖。

參考圖1，提供半導體襯底101，在所述半導體襯底101上形成金屬層102，所述金屬層的材料為鋁。

參考圖2，刻蝕所述金屬層102(參考圖1)，形成若干分立的金屬塊103，所述金屬塊103的表面為光線的反射面。

參考圖3，形成覆蓋所述金屬塊103和半導體襯底101的絕緣介質材料層104，絕緣介質材料層104的形成工藝為高密度等離子體化學氣相沉積，材料為氧化硅。

參考圖4，平坦化所述絕緣介質材料層暴露出金屬塊103的表面，平坦化工藝為化學機械研磨，研磨時以金屬塊103表面為停止層。

參考圖5，形成覆蓋所述金屬塊103和絕緣介質材料層104表面的鈍化層105。

參考圖6，在所述鈍化層105上形成液晶層106，在液晶層106上形成玻璃基板107。

現有的硅基液晶面板制作方法形成的金屬塊表面容易形成缺陷，影響了金屬塊的反射率。

發明內容

本發明解決的問題是在硅基液晶顯示面板的制作過程中，防止在金屬塊表面產生缺陷。

為解決上述問題，本發明提供了一種硅基液晶顯示面板的制作方法，包括：半導體襯底；在半導體襯底上依次形成金屬層、位于金屬層上的保護層、位于保護層上的硬掩膜層；刻蝕所述硬掩膜層和保護層，在硬掩膜層和保護層中形成若干第一開口；以所述硬掩膜層和保護層為掩膜，沿第一開口刻蝕所述金屬層，形成若干行列排布的金屬塊，相鄰金屬塊之間具有第二開口，金屬塊的表面為光線反射面；形成覆蓋硬掩膜層表面的隔離介質層，所述隔離介質層填充滿第一開口和第二開口；平坦化所述隔離介質層，暴露出硬掩膜層的表面；去除所述硬掩膜層；采用灰化工藝去除所述保護層。

可選的，所述保護層的材料為無定形碳。

可選的，所述保護層的形成工藝為化學氣相沉積，采用的氣體為乙炔和氮氣，溫度為300～500攝氏度，腔室壓力8～10托。

可選的，所述保護層的厚度為300～500埃。

可選的，灰化工藝去除所述保護層采用的氣體為O₂，射頻源功率為300～400W，腔室壓力為5～8托，溫度為100～200攝氏度，時間為大于120秒。

可選的，所述硬掩膜層為雙層堆疊結構，包括第一掩膜層和位于第一掩膜層上的第二掩膜層，第一掩膜層和第二掩膜層的材料不相同。

可選的，所述第二掩膜層的材料為氧化硅，所述第一掩膜層的材料為氮化硅。

可選的，所述掩膜層和保護層中第一開口的形成過程為：在所述第二掩膜層表面形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕第二掩膜層，在第二掩膜層中形成第一子開口；去除所述圖形化的光刻膠層；以第二掩膜層為掩膜，沿第一子開口刻蝕所述第一掩膜層和保護層，在第一掩膜層和保護層中形成第二子開口，第二子開口和第一子開口構成第一開口。

可選的，平坦化所述隔離介質層采用化學機械研磨或無掩膜回刻蝕工藝。

可選的，所述隔離介質層的形成工藝為高密度等離子化學氣相沉積。

可選的，隔離介質層的材料為氧化硅。

可選的，采用灰化工藝去除所述保護層后，還包括：在金屬塊和隔離介質層表面形成鈍化層。

可選的，所述鈍化層的材料為氧化硅。

可選的，還包括：在鈍化層上形成無機物導向膜；在無機物導向膜上形成液晶層；在液晶層上形成玻璃基板。

可選的，所述半導體襯底內形成有像素驅動電路，所述像素驅動電路與金屬塊相連。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：