[發明專利]一種單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統

有效

• 申請號: 201310460538.6
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103487394A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 金湘亮;汪涵;趙永嘉
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: G01N21/33
• 分類號: G01N21/33;G01N21/35
• 代理公司: 湘潭市匯智專利事務所 43108
• 代理人: 顏昌偉

1.一種單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統，其特征在于：包括紫外探測器、紅外探測器、運算放大器和反饋元件，所述紫外探測器的陽極與紅外探測器的陽極、運算放大器的反向輸入端相連，紫外探測器的陰極與外接電源相連，紫外探測器的襯底和紅外探測器的襯底均接地，所述紅外探測器的陽極與陰極短接，并與運算放大器的反向輸入端相連，運算放大器的同向輸入端接共模電平，所述反饋元件包括反饋電阻和反饋電容，所述反饋電阻的一端與運算放大器的反向輸入端相連，另一端與運算放大器的輸出端相連，所述反饋電容并接在反饋電阻的兩端。

2.如權利要求1所述的單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統，其特征在于：所述紅外探測器由第一光電二極管和第二光電二極管組成，第一光電二極管的陰極與第二光電二極管的陰極相連構成反向連接結構，第一光電二極管的陽極與陰極短接。

3.如權利要求1所述的單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統，其特征在于：所述紫外探測器包括P型襯底，P型襯底上設有N深阱，在N深阱內設有相間的N阱和P阱，N阱和P阱內分別設有N注入區和P注入區，N深阱內所有的N注入區通過電極連接在一起，N深阱內所有的P注入區也通過電極連接在一起。

4.如權利要求1所述的單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統，其特征在于：所述紫外探測器、紅外探測器、運算放大器和反饋元件均設置在同一片CMOS芯片上。

5.如權利要求1所述的單芯片集成紫外-紅外互補型紫外探測系統，其特征在于：所述紅外探測器的感光區面積為紫外探測器感光區面積的1/15。