[發明專利]模數轉換裝置及模數轉換方法

無效

• 申請號: 201310460273.X
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103501181A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 康晉鋒;劉睿;陳冰;張飛飛;劉力鋒;劉曉彥
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H03M1/12
• 分類號: H03M1/12
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種模數轉換裝置，其特征在于，包括：

數據采樣保持單元，用于進行信號采樣，得到模擬電流信號，并對模擬電流信號進行存儲；

量化單元，用于數據采樣保持單元輸出的模擬電流信號進行量化；

編碼單元，用于對量化單元輸出的數據進行編碼，得到數字信號；其中，

所述數據采樣保持單元包括阻變存儲器。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述數據采樣保持單元還包括與所述阻變存儲器連接的MOS器件。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述阻變存儲器包括第一導電層、金屬氧化物層以及第二導電層，所述金屬氧化物層位于所述第一導電層與第二導電層之間，且第一導電層、金屬氧化物層以及第二導電層依次覆于所述MOS器件的漏端。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一導電層或第二導電層為金屬。

5.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述金屬氧化物層為HfO_x、TiO_x、WO_x、NiO_x、ZrO_x和Ta_xO_x中的一種，x為正整數。

6.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一導電層的厚度為5～100nm。

7.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為3～30nm。

8.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述量化單元為電流比較器。

9.一種模數轉換方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在采樣頻率的控制下打開權利要求2～8中任一項所述的裝置中的MOS器件，進行數據采樣，得到模擬電流信號；

S2、利用權利要求1～8中任一項所述的裝置中的阻變存儲器進行模擬電流信號存儲；

S3、利用權利要求1～8中任一項所述的裝置中的量化單元將流過所述阻變存儲器的電流與參考電流進行比較，根據比較的結果進行模擬電流信號的量化；

S4、對量化后的數據進行編碼，得到數字信號。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于：

在步驟S1之前還包括選擇工作模式的步驟；

所述工作模式包括SET模式和RESET模式。