[發(fā)明專利]石墨烯復(fù)合物、其在催化甲醇氧化中的應(yīng)用、化學(xué)修飾電極及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310460108.4 | 申請日： | 2013-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN103506161A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王宗花;夏建飛;張菲菲;夏霖;史國玉;李延輝;夏延致 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島大學(xué) |
| 主分類號： | B01J31/22 | 分類號： | B01J31/22;H01M4/92 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266071 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨 復(fù)合物 催化 甲醇 氧化 中的 應(yīng)用 化學(xué) 修飾 電極 及其 制備 方法 | ||
1.石墨烯復(fù)合物，包括石墨烯層、設(shè)置于所述石墨烯層上的普魯士藍層和設(shè)置于所述普魯士藍層上的納米鉑顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯復(fù)合物，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為100μm～200μm；
所述普魯士藍層的厚度為100μm～200μm；
所述納米鉑顆粒的平均粒徑為30nm～60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯復(fù)合物，其特征在于，所述納米鉑顆粒的平均粒徑為40nm～55nm。
4.一種修飾電極，包括基底電極和修飾層；
所述基底電極為ITO電極；
所述修飾層為權(quán)利要求1～3任意一項所述石墨烯復(fù)合物。
5.一種修飾電極的制備方法，包括以下步驟：
a)將石墨烯分散液涂覆于ITO基底電極的表面，干燥后得到石墨烯修飾ITO電極；
b)將所述石墨烯修飾ITO電極置于普魯士藍電解液中，第一電化學(xué)沉積得到普魯士藍-石墨烯修飾電極；
c)將所述普魯士藍-石墨烯修飾電極置于氯鉑酸溶液中，第二電化學(xué)沉積得到權(quán)利要求4所述修飾電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)前還包括以下步驟：
將ITO基底電極依次在丙酮、乙醇和去離子水中超聲，干燥。
7.根據(jù)權(quán)利要求5～6任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯分散液的質(zhì)量濃度為0.5mg／mL～3mg／mL。
8.根據(jù)權(quán)利要求5～6任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述普魯士藍電解液包括鐵氰化鉀、氯化鐵和電解質(zhì)；
所述第一電化學(xué)沉積為恒電位沉積。
9.根據(jù)權(quán)利要求5～6任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述氯鉑酸溶液包括氯鉑酸和硫酸；
所述第二電化學(xué)沉積為恒電位沉積。
10.權(quán)利要求1～3任意一項所述的石墨烯復(fù)合物在催化甲醇氧化中的應(yīng)用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青島大學(xué)，未經(jīng)青島大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310460108.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 新的蛋白質(zhì)復(fù)合物
- 電燈的復(fù)合電極材料和其加工方法
- 有機復(fù)合物P－N結(jié)及其制備方法以及應(yīng)用該P－N結(jié)的有機復(fù)合物二極管
- 復(fù)合物的形成方法和分離方法
- 人造侵襲素復(fù)合物
- 材料復(fù)合物和材料復(fù)合物的應(yīng)用以及具有材料復(fù)合物的包裝和用于制造包裝的方法
- 一種鎘螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 一種砷螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 一種鉛螯合型免疫復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用
- 用于促進輔助T細胞產(chǎn)生TNF-α細胞因子的工程化DC細胞及方法
