[發明專利]一種在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法

有效

• 申請號: 201310460084.2
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103506617A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 黃偉新;常蘇捷
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 王立民;吉海蓮

1.一種在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）將銀納米粒子分散在水中后，加入堿性沉淀劑和金屬鹽，得到混合液；

2）將步驟1）中的混合液轉移至水熱釜中，在氧氣氣氛下進行水熱反應，反應結束后獲得的沉淀物即為表面生長納米氧化物的銀納米粒子。

2.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟1）中的銀納米粒子的粒徑為2nm～500nm。

3.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，在所述步驟1）中，首先將銀納米粒子分散在水中后加入堿性沉淀劑，再加入金屬鹽，得到混合液。

4.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟1）中銀納米粒子通過超聲分散。

5.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟1）中的堿性沉淀劑選自氫氧化鈉、尿素、氨水、碳酸鈉、碳酸氫鈉或六亞甲基四胺中的一種，金屬鹽選自鈰鹽、鈦鹽或鐵鹽中的一種。

6.根據權利要求5所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述鈰鹽選自硝酸鈰、硝酸鈰銨或三氯化鈰中的一種，所述鈦鹽選自硫酸氧鈦、四氯化鈦、鈦酸四丁酯或異丙醇鈦中的一種，所述鐵鹽選自氯化亞鐵、氯化鐵、硝酸亞鐵、硝酸鐵或硫酸鐵銨中的一種。

7.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟1）中的堿性沉淀劑和金屬鹽的摩爾比為(10～2000):1。

8.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟2）中水熱反應的溫度為100℃～220℃，時間為0.5h～24h。

9.根據權利要求1所述的在銀納米粒子表面生長納米氧化物的方法，其特征在于，所述步驟2）中的氧氣氣氛通過以5ml/min～30ml/min的流速往水熱釜中通入氧氣10min～60min實現。