[發(fā)明專利]集成電路封裝中的X射線圖像多尺度細節(jié)增強方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310459774.6 | 申請日： | 2013-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN103500442A | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高紅霞;徐寒 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | G06T5/00 | 分類號： | G06T5/00 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 511458 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 封裝 中的 射線 圖像 尺度 細節(jié) 增強 方法 | ||
1.集成電路封裝中的X射線圖像多尺度細節(jié)增強方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：
1)采集面向集成電路封裝過程的X射線圖像；
2)將X射線圖像進行拉普拉斯金字塔分解，獲得各尺度的X射線金字塔細節(jié)圖像；
3)對金字塔中底層采用對數(shù)增強方法調(diào)整圖像的亮度和對比度；
4)對金字塔中頂層的細節(jié)圖像直方圖均衡化增強方法調(diào)整圖像的亮度和對比度；
5)對各尺度下的細節(jié)圖像進行重建得到細節(jié)增強的圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝中的X射線圖像多尺度細節(jié)增強方法，其特征在于：步驟2)所述將X射線圖像進行拉普拉斯金字塔分解，具體如下：
2.1)對原圖像采用低通濾波和下采樣得到一個粗尺度的近似圖像，即分解得到的低通近似圖像；
2.2)將得到的低通近似圖像進行插值和濾波，再計算低通近似圖像和原圖像的差值，得到圖像的細節(jié)部分；
2.3)在得到的低通近似圖像采用低通濾波和下采樣進行下一級分解，得到新的低通近似圖像；
2.4)重復(fù)執(zhí)行步驟2.2)～2.3)，完成多尺度分解。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路封裝中的X射線圖像多尺度細節(jié)增強方法，其特征在于：步驟2)中，圖像的拉普拉斯金字塔生成存在一個與圖像縮小相反的擴大過程，即把第l層圖像擴大到與第l-1層圖像相同的過程：
a)定義圖像的擴大算子Expand為：
gl*和gl-1尺寸相同，具體通過對第l層圖像進行插值放大得到：
該式中，當且僅當坐標為整數(shù)時成立；
b)拉普拉斯金字塔第l層圖像可定義為：
即
bl(i，j)＝gl(i，j)-Expand(gl+1)
完整的拉普拉斯金字塔定義如下：
其中，L為金字塔的總層數(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華南理工大學，未經(jīng)華南理工大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310459774.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
