[發明專利]一種晶圓背面的離子注入方法

無效

• 申請號: 201310459704.0
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103500704A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 洪齊元;黃海
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種晶圓背面的離子注入方法，包括如下步驟:

步驟一，對晶圓背面進行減薄處理；

步驟二，在減薄后的晶圓背面進行低能離子淺摻雜注入；

步驟三，用爐管進行熱處理，使雜質離子向晶圓正面擴散至所需深度。

2.根據權利要求1所述的一種晶圓背面的離子注入方法，其特征在于，所述減薄處理采用濕法蝕刻方法或者研磨方法，減薄厚度范圍在5～300um。

3.根據權利要求1或2所述的一種晶圓背面的離子注入方法，其特征在于，所述低能離子淺摻雜注入的操作條件為：離子注入能量范圍在5～50Kev，離子劑量范圍在10¹³～10¹⁵/cm²，摻雜離子為鍺離子。

4.根據權利要求3所述的一種晶圓背面的離子注入方法，其特征在于，所述熱處理的處理時間3～4小時，溫度在300～400℃。