[發明專利]一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法無效
| 申請號： | 201310459703.6 | 申請日： | 2013-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN103489763A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 洪齊元;黃海 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 避免 離子 注入 摻雜 方法 | ||
1.一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：包括以下步驟，
步驟一：在硅襯底上注入參雜離子，得到參雜硅襯底；
步驟二：在所述參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜；
步驟三：對經過步驟二的參雜硅襯底進行退火處理；
步驟四：去除所述參雜硅襯底表面的非晶碳薄膜；
步驟五：清洗所述參雜硅襯底。
2.根據權利要求1所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜的厚度范圍為100A～10000A。
3.根據權利要求1或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜是通過等離子體增強化學氣相沉積方法實現的。
4.根據權利要求3所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：在所述等離子體增強化學氣相沉積方法中采用的溫度范圍為200℃～500℃。
5.根據權利要求1或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：在所述退火處理過程中，將附有非晶碳薄膜的參雜硅襯底放入N2或Ar或He中進行退火處理，退火溫度范圍為700℃～1050℃，退火時間范圍為5s～400s。
6.根據權利要求1或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述去除硅襯底表面的非晶碳薄膜具體采用的是等離子體灰化方法。
7.根據根據權利要求1或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述清洗參雜硅襯底采用的是濕法清洗方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
