[發(fā)明專利]一種制作半導(dǎo)體器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310459542.0 | 申請日： | 2013-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN104517887B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蒲月皎;宋化龍;董金珠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 淺溝槽 襯底 半導(dǎo)體器件 墊氧化層 半導(dǎo)體 氮化物層 開口 邊角區(qū)域 工藝處理 雙峰效應(yīng) 制造工藝 襯墊層 回蝕刻 晶體管 圖案化 邊角 側(cè)壁 減小 刻蝕 圓化 填充 制作 優(yōu)化 | ||
1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層和氮化物層，所述墊氧化層和氮化物層作為淺溝槽的掩膜；
圖案化所述墊氧化層和所述氮化物層，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的開口；
根據(jù)所述開口刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；
在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層；
采用回蝕刻工藝處理所述氮化物層，以露出位于所述淺溝槽頂部附近的部分所述墊氧化層；
氧化露出的所述墊氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法氧化工藝執(zhí)行所述氧化步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述開口定義了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)區(qū)域和有源區(qū)域。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述回蝕刻工藝和所述濕法氧化工藝均用以改善所述淺溝槽的邊角形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯墊層為氮氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述淺溝槽中填充隔離材料，進而形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
