[發(fā)明專(zhuān)利]化合物半導(dǎo)體器件和其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310459388.7
• 申請(qǐng)日: 2013-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103715253B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉川俊英;溫井健司
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 創(chuàng)世舫電子日本株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/778
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所11313
• 代理人: 孟銳

1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

化合物半導(dǎo)體層；以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體層上側(cè)上的電極對(duì)，

其中，所述電極對(duì)中的一個(gè)電極在與所述化合物半導(dǎo)體層的接觸表面中具有沿著轉(zhuǎn)移電子的多個(gè)底部表面，并且所述多個(gè)底部表面位于距所述轉(zhuǎn)移電子不同距離處，越接近所述電極對(duì)中的另一電極的所述底部表面越遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)移電子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中，在所述電極對(duì)中的所述一個(gè)電極中，與所述接觸表面中的所述底部表面中預(yù)定的鄰近的兩個(gè)底部表面接合的側(cè)表面為錐形形狀，所述側(cè)表面越遠(yuǎn)離所述電極對(duì)中的所述另一電極的部分越接近所述轉(zhuǎn)移電子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括：

覆蓋所述化合物半導(dǎo)體層的保護(hù)絕緣膜，

其中，在所述電極對(duì)中的所述一個(gè)電極中，在與所述保護(hù)絕緣膜的接觸側(cè)表面中接近所述電極對(duì)中的所述另一電極的接觸側(cè)表面被接合到所述底部表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中，

所述化合物半導(dǎo)體層具有其中生成所述轉(zhuǎn)移電子的電子轉(zhuǎn)移層和形成在所述電子轉(zhuǎn)移層上方的電子供給層，并且

所述電極對(duì)與所述電子供給層接觸，而不與所述電子轉(zhuǎn)移層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括：

形成在所述化合物半導(dǎo)體層上方、所述電極對(duì)之間的另一電極；以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體層與所述另一電極之間的p型半導(dǎo)體層。

6.一種制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成化合物半導(dǎo)體層；以及

在所述化合物半導(dǎo)體層上側(cè)上形成電極對(duì)，

其中，所述電極對(duì)中的一個(gè)電極在與所述化合物半導(dǎo)體層的接觸表面中具有沿著轉(zhuǎn)移電子的多個(gè)底部表面，并且所述多個(gè)底部表面位于距所述轉(zhuǎn)移電子不同距離處，越接近所述電極對(duì)中的另一電極的所述底部表面越遠(yuǎn)離所述轉(zhuǎn)移電子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，在所述電極對(duì)中的所述一個(gè)電極中，與所述接觸表面中的所述底部表面中預(yù)定的鄰近的兩個(gè)底部表面接合的側(cè)表面為錐形形狀，所述側(cè)表面越遠(yuǎn)離所述電極對(duì)中的所述另一電極的部分越接近所述轉(zhuǎn)移電子。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

形成覆蓋所述化合物半導(dǎo)體層的保護(hù)絕緣膜，

其中，在所述電極對(duì)中的所述一個(gè)電極中，在與所述保護(hù)絕緣膜的接觸側(cè)表面中接近所述電極對(duì)中的所述另一電極的接觸側(cè)表面被接合到所述底部表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述化合物半導(dǎo)體層具有其中生成所述轉(zhuǎn)移電子的電子轉(zhuǎn)移層和形成在所述電子轉(zhuǎn)移層上方的電子供給層，并且

所述電極對(duì)與所述電子供給層接觸，而不與所述電子轉(zhuǎn)移層接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

形成在所述化合物半導(dǎo)體層上方、所述電極對(duì)之間的另一電極；以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體層與所述另一電極之間的p型半導(dǎo)體層。