[發明專利]一種基于有機基板技術的封裝工藝及封裝結構有效
| 申請號: | 201310459272.3 | 申請日: | 2013-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN103474363A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 郭學平;于中堯;謝慧琴 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 有機 技術 封裝 工藝 結構 | ||
1.一種基于有機基板技術的封裝工藝,其特征在于:包括,
提供一有機基板,所述有機基板具有第一主面和與第一主面相對的第二主面;
在有機基板第一主面形成金屬槽,所述金屬槽的尺寸與待封裝的芯片的尺寸相適應;
將所述芯片安裝于所述金屬槽內;
在所述第一主面上形成芯片載板以將所述芯片封裝于所述金屬槽內;
在有機基板的第二主面一側形成連接芯片的連接墊片的封裝管腳。
2.根據權利要求1所述的基于有機基板技術的封裝工藝,其特征在于:在所述芯片安裝于所述金屬槽內時,所述芯片的端面與所述第一主面處于同一水平面,所述芯片載板與所述芯片的端面相接觸,所述芯片的連接墊片設置于所述芯片的端面的另一側。
3.根據權利要求1所述的基于有機基板技術的封裝工藝,其特征在于:所述有機基板包括有機層以及夾持所述有機層的分別位于所述有機層的第一主面側以及第二主面側的兩個金屬層,在有機板的第一主面形成金屬槽之前,其還包括,
對所述有機基板的第一主面和第二主面進行增銅工藝,使得增銅后所述有機基板的第一主面側的金屬層增厚,其厚度大于所述芯片的厚度,其中所述金屬層就是開設于所述有機基板的第一主面側的金屬層中。
4.根據權利要求1所述的基于有機基板技術的封裝工藝,其特征在于:
所述芯片安裝于所述金屬槽內,是通過點膠倒裝貼芯片將所述芯片安裝于所述金屬槽內的。
5.根據權利要求1所述的基于有機基板技術的封裝工藝,其特征在于:
所述在有機基板的第二主面一側形成連接所述芯片的連接墊片的封裝管腳,包括,
減薄所述有機基板的位于第二主面側的金屬層;
自減薄后的有機基板的第二主面進行盲孔的制作,所述盲孔與所述芯片上的連接墊片相對準并延伸至對應的連接墊片;
對形成有盲孔的有機基板的第二主面進行化銅全板以及所述盲孔的填孔電鍍;
對填控電鍍后的有機基板的第二主面進行線路層制作以及阻焊處理;
阻焊處理后在所述第二主面植入焊球。
6.一種封裝結構,其特征在于:包括,
有機基板,所述有機基板具有第一主面和第二主面,在所述有機基板的第一主面上形成有金屬槽;
芯片,其設置于所述金屬槽內,其具有端面以及與所述端面相對的另一面,所述芯片包括有位于與所述端面相對的另一面的若干連接墊片;
芯片載板,所述芯片載板設置于所述芯片的端面以及所述第一主面上;
形成于所述有機基板的第二主面一側的外部管腳;
與所述芯片的對應連接墊片和相應的外部管腳電性連接的內部連線,所述內部連線延伸穿過所述有機基板;
位于所述有機基板的第二主面一側的阻隔各個內部連線的阻焊層。
7.根據權利要求6所述的封裝結構,其特征在于:所述芯片載板的厚度為10μm~100μm。
8.根據權利要求6所述的封裝結構,其特征在于:所述芯片設置于所述金屬槽內,所述芯片的端面與所述第一主面處于同一水平面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





