[發明專利]一種Zigbee的溫度傳感器制作方法無效
| 申請號: | 201310459228.2 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103542956A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 王萌;唐新來;李健軍 | 申請(專利權)人: | 柳州市宏億科技有限公司 |
| 主分類號: | G01K7/22 | 分類號: | G01K7/22 |
| 代理公司: | 廣西南寧匯博專利代理有限公司 45114 | 代理人: | 鄧曉安 |
| 地址: | 545006 廣西壯族自治區*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 zigbee 溫度傳感器 制作方法 | ||
1.?一種Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于,按照如下步驟進行:?
(1)在襯底(1)上面涂覆一層聚二甲基硅氧烷層(9),并將聚二甲基硅氧烷層表面進行氧等離子體活化處理;緊接著在所述聚二甲基硅氧烷層(9)上面重疊聚酰亞胺預聚體,經過階梯式熱固化后,形成聚酰亞胺層(7);?
(2)在襯底(1)下面采用低壓化學氣相淀積工藝或等離子增強化學氣相淀積工藝淀積一層下襯底膜層(2);
(3)在襯底(1)局部中心細加工出凹槽(9);?
(4)采用磁控濺射工藝在聚酰亞胺層(7)上濺射一層粘附層(3);??
(5)采用磁控濺射工藝在粘附層(3)上面濺射一層溫敏電阻層(4);??
(6)采用磁控濺射工藝在溫敏電阻層(4)上面濺射一層導電層(5);??
(7)將襯底(1)放入酒精容器內,采用超聲剝離工藝剝離掉溫敏電阻層(4)結構圖形以外的粘附層(3)、溫敏電阻層(4)、導電層(5),襯底(1)上兩側露出聚酰亞胺層(7),形成粘附層(3)、溫敏電阻層(4)、導電層(5)結構層;??
(8)在導電層(5)結構層上涂一層光刻膠,采用光刻工藝光刻形成導電層(5)電極結構圖形;??
(9)采用碘化鉀濕法腐蝕工藝,腐蝕溫敏電阻層(4)上面中間部位的導電層(5),露出中間部位的溫敏電阻層(4),溫敏電阻層(4)兩端形成導電層(5)電極結構;??
(10)在襯底(1)上露出的兩側聚酰亞胺層(7)上、露出中間部位的溫敏電阻層(4)上、導電層(5)電極結構上面涂一層光刻膠,光刻出懸臂梁(6)結構圖形;??
(11)采用等離子體刻蝕工藝在聚酰亞胺層(7)上面刻蝕形成懸臂梁(6)結構,露出聚酰亞胺層(7)下面的聚二甲基硅氧烷層(9);??
(12)采用氫氟酸緩沖液腐蝕掉露出聚酰亞胺層(7)下面的聚二甲基硅氧烷層(9)、懸臂梁(6)結構下面的聚二甲基硅氧烷層(9),形成懸空的懸臂梁(6)結構;??
(13)采用硅各向異性濕法腐蝕工藝腐蝕襯底(1)形成腔體結構,懸臂梁(6)、粘附層(3)、溫敏電阻層(4)、導電層(5)懸空固定在襯底(1)腔體上,完成溫度傳感器制作。
2.?根據權利要求1所述的Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷層(9)厚度為30-35μm,它采用二次變速方法涂覆于加工載體上的,初始速度為150rpm,使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆蓋在整個襯底(1)上,在緩慢提速至900rpm,保持40s,然后再緩慢提速至4500rpm,并在室溫下固化48h。
3.根據權利要求1所述的Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷層(9)表面的活化處理是采用氧等體活化處理,處理條件為100%氧氣,壓強為15mTorr,功率為50W,時間為30s。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于:所述聚二甲基硅氧烷層(9)上面四次重疊涂覆液態高粘度聚酰亞胺預聚體的階梯式熱固化的工藝是每重疊涂覆一次的轉速比前一次的轉速提高200rpm;每次重疊涂覆后的預烘溫度比前一次高5℃,并采用“由表及里”的階梯式熱處理方法預固化聚酰亞胺預聚物;最后一次聚酰亞胺預熱聚體涂覆后,熱板溫度由95℃上升到200℃保溫15min,然后緩慢降溫至室溫;所述聚酰亞胺預聚體的粘度為6000-7000mPa·s,形成聚酰亞胺層厚度為25-35mm。
5.根據權利要求4所述的Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于:所述溫敏電阻層(4)厚度尺寸為5納米至400納米,采用磁控濺射的濺射漿料制備方法:是將有機鉑化合物或有機金化合物150-190℃加熱15-30分鐘,得到由有機鉑或有機金化合物的微分解固化物、超細鉑粉或金粉、低分子量有機物、超細碳粉組成的混合物,將此混合物添加有機銠化合物、有機鉍化合物、有機鉛化合物、有機硅化合物、有機鉻化合物、有機銅化合物、有機硼化合物中的一種或二種以上,鉑或金與銠的重量比例控制在1∶0.0001~0.0005,金或鉑與其他金屬的比例(重量)控制在1∶0.003~0.02之間,同時添加樹脂和溶劑,形成混合型鉑漿料或金漿料。
6.根據權利要求4所述的Zigbee的溫度傳感器制作方法,其特征在于:所述下襯底膜層(2)的厚度尺寸為300納米至3000納米。
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