[發(fā)明專利]一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310457585.5
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103488113A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王春華
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇沁恒股份有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 顧進

1.一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述單片機至少包括全內(nèi)置降壓電源系統(tǒng)、內(nèi)核、對外接口電路；所述全內(nèi)置降壓電源系統(tǒng)采用非易失性存儲工藝中的高壓器件和/或非易失性存儲工藝中的I/O器件，所述全內(nèi)置降壓電源系統(tǒng)提供內(nèi)核電源電壓V_Core，且內(nèi)核電源電壓V_Core＜5V；所述內(nèi)核采用非易失性存儲工藝中的內(nèi)核器件；所述對外接口電路包括I/O電路，所述對外接口電路采用非易失性存儲工藝中的內(nèi)核器件和非易失性存儲工藝中的高壓器件，所述對外接口電路具有電平轉(zhuǎn)換電路，所述電平轉(zhuǎn)換電路包括0~V_Core信號到0~5V信號的電平轉(zhuǎn)換電路，以及0~5V信號到0~V_Core信號的電平轉(zhuǎn)換電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述內(nèi)核器件包括內(nèi)核晶體管；所述I/O器件包括I/O晶體管；所述高壓器件包括高壓晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述全內(nèi)置降壓電源系統(tǒng)是降壓穩(wěn)壓器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述對外接口電路采用非易失性存儲工藝中的內(nèi)核器件、非易失性存儲工藝中的I/O器件和非易失性存儲工藝中的高壓器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述0~V_Core信號到0~5V信號的電平轉(zhuǎn)換電路包括第一反相器、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第二反相器；

所述第一反相器的輸入以及第一NMOS晶體管的柵極輸入為0~V_Core信號，所述第一反相器的輸出端連接第二NMOS晶體管的柵極；

所述第一反相器內(nèi)的晶體管為非易失性存儲工藝中的內(nèi)核器件；

所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源極連接地電壓，漏極分別連接第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管的源極；

所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管為非易失性存儲工藝中的I/O器件；

所述第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管的柵極連接參考電壓V_ref，漏極分別連接第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的漏極；

所述第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管為非易失性存儲工藝中的高壓器件或者非易失性存儲工藝中的I/O器件；

所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管交叉耦合連接，且源極連接5V電源電壓；

所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管為非易失性存儲工藝中的高壓器件；

所述第二反相器的輸入連接第二PMOS晶體管的漏極，輸出0~5V信號；

所述第二反相器內(nèi)的晶體管為非易失性存儲工藝中的高壓器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于5V應(yīng)用環(huán)境的單片機，其特征是：所述單片機是51單片機。