[發明專利]一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝及封裝結構

有效

• 申請號: 201310457111.0
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103474361A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 郭學平;謝慧琴;于中堯;劉豐滿
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/367
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：包括，

提供兩個初級封裝組件，每個初級封裝組件中有機基板的金屬槽內封裝有芯片,所述初級封裝組件具有第一主面和與第一主面相對的第二主面，所述芯片的主側與所述第二主面同向，且其上設置有連接墊片；

將兩個初級封裝組件的兩個第一主面相對的壓合形成次級封裝組件，壓合后兩個初級封裝組件中的兩個有機基板夾持封裝于所述有機基板的金屬槽內的芯片；

自所述次級封裝組件的兩個外側面對應所述芯片上的連接墊片進行盲孔開窗口并開設盲孔至所述芯片上的連接墊片處；

在所述次級封裝組件上開設通孔，所述通孔貫穿所述次級封裝組件；

對所述盲孔、所述通孔以及次級封裝組件的兩個外側面進行化金屬作為種子層，然后進行填孔電鍍；

進行第一外層線路層的制作。

2.根據權利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：所述提供兩個初級封裝組件，其中每個初級封裝組件的制作工藝包括，

提供一有機基板并在有機基板的一側形成金屬槽，所述金屬槽的尺寸與待封裝的芯片的尺寸相適應；

將所述芯片的主側貼裝于所述金屬槽內；

在與所述芯片的主側相對的另一側進行金屬制作以封裝所述芯片；

進行區域金屬蝕刻，所述區域金屬蝕刻是對有電氣連通的通孔的位置的金屬進行蝕刻。

3.根據權利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：在進行第一外層線路層的制作后，還包括，

在所述第一外層線路層的兩個表面進行外層線路介質層的壓合；

互連所述外層線路介質層上的介質層盲孔并進行第二外層線路層的制作。

4.根據權利要求3所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：在進行第二外層線路層的制作后，還包括，

在所述第二外層線路層進行外層阻焊層的制作；

進行后續的芯片的組裝或植球。

5.根據權利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：

所述有機基板包括有機層以及夾持所述有機層的分別位于所述有機層的兩個金屬層，在有機基板第一主面形成金屬槽之前，其還包括，

對所述有機基板的兩個金屬層進行增金屬工藝，使得增金屬后所述有機基板的兩個金屬層增厚。

6.根據權利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：

所述將兩個初級封裝組件的兩個第一主面相對的壓合形成次級封裝組件后，其還包括，

將所述次級封裝組件的兩個外側面上的金屬進行減薄。

7.根據權利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于：

所述在所述次級封裝組件上開設通孔后，其還包括，

蝕刻所述次級封裝組件的兩個外側面上的金屬。

8.一種封裝結構，其特征在于：包括，

次級封裝組件，所述次級封裝組件包括兩個相對壓合的初級封裝組件，所述初級封裝組件包括有機基板以及封裝于所述有機基板的金屬槽內的芯片；

盲孔，自所述次級封裝組件的兩個外側面對應所述芯片上的連接墊片進行設置且所述盲孔內填充有第一電鍍介質；

通孔，所述通孔貫穿所述次級封裝組件且所述通孔內填充有第一電鍍介質；

第一外層線路層，所述第一外層線路層能夠進行后續的芯片的組裝或植球。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于：該封裝結構還包括，

外層線路介質層，所述外層線路介質層壓合在所述第一外層線路層的兩個表面上；

介質層盲孔，所述介質層盲孔設置于所述外層線路介質層且所述介質層盲孔內填充有第二電鍍介質；

第二外層線路層，所述第二外層線路層能夠進行后續的芯片的組裝或植球。

10.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于：該封裝結構還包括，

阻焊層，所述阻焊層設置于所述第二外層線路層上。