[發明專利]一種背照式CMOS影像傳感器

無效

• 申請號: 201310456471.9
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103474444A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 洪齊元;黃海
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及一種傳感器，尤其涉及一種背照式CMOS影像傳感器。

背景技術

不同于前照式影像傳感器，背照式CMOS影像傳感器由硅晶的前端構建影像傳感器，其將彩色濾光片以及微鏡片放置于像素的背部，使得入射光由影像傳感器的背部進入影像傳感器。相較于前面照明CMOS影像傳感器，這種背照式CMOS影像傳感器具有數種優點：較少的光損失、以及更優異的量子效率；但是其串擾問題是急需改進的方面。現有工藝采用晶圓正面淺槽隔離(STI)的方式進行隔離，以防止串擾問題，但是隨著像素尺寸的減少，已逐漸難以滿足需求。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種可以避免串擾問題的背照式CMOS傳感器。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種背照式CMOS影像傳感器，包括晶圓、光電二極管、彩色濾光片、微型透鏡、金屬連線層，所述金屬連線層位于所述晶圓的正面，所述光電二極管內嵌于所述晶圓的內部，所述彩色濾光片位于所述晶圓的背面，所述微型透鏡位于所述彩色濾光片上，所述彩色濾光片設有三片，分別為紅色濾光片、綠色濾光片、藍色濾光片，在所述紅色濾光片、綠色濾光片、藍色濾光片的正下方的晶圓內部分別設有一個光電二極管，分別為第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管，所述第一光電二極管位于所述紅色濾光片正下方的晶圓內部，所述第二光電二極管位于所述綠色濾光片正下方的晶圓內部，所述第三光電二極管位于所述藍色濾光片正下方的晶圓內部，所述第一光電二極管與第二光電二極管之間的晶圓背面設有溝槽，且所述第二光電二極管與第三光電二極管之間的晶圓背面也設有溝槽，所述兩條溝槽分別從所述晶圓背面貫穿至所述晶圓正面，所述兩溝槽內均填充有金屬物質。

本發明的有益效果是：本發明一種背照式CMOS影像傳感器通過在晶圓背面蝕刻出深溝槽，然后填入金屬以實現隔離，來解決背照式CMOS傳感器的串擾，以制造性能更高的產品。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，所述所述金屬物質為鋁或鎢。

進一步，所述靠近晶圓背面的溝槽寬度大于靠近晶圓正面的溝槽寬度。附圖說明

圖1為本發明一種背照式CMOS影像傳感器的結構示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

1、晶圓，2.1、第一光電二極管，2.2、第二光電二極管，2.3、第三光電二極管，3、彩色濾光片，3.1、紅色濾光片，3.2、綠色濾光片，3.3、藍色濾光片，4、微型透鏡，5、金屬連線層，6、溝槽。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

如圖1所示，一種背照式CMOS影像傳感器，包括晶圓1、光電二極管、彩色濾光片3、微型透鏡4、金屬連線層5，所述晶圓1的兩面是一樣，如果定義了晶圓1的一面為正面，另一面則稱為背面，所述金屬連線層5位于所述晶圓1的正面，所述光電二極管內嵌于所述晶圓1的內部，所述彩色濾光片3位于所述晶圓1的背面，所述微型透鏡4位于彩色濾光片3上，所述彩色濾光片3設有三片，分別為紅色濾光片3.1、綠色濾光片3.2、藍色濾光片3.3，在所述紅色濾光片3.1、綠色濾光片3.2、藍色濾光片3.3的正下方的晶圓1內部分別設有一個光電二極管，分別為第一光電二極管2.1、第二光電二極管2.2、第三光電二極管2.3，所述第一光電二極管2.1位于所述紅色濾光片3.1正下方的晶圓1內部，所述第二光電二極管2.2位于所述綠色濾光片3.2正下方的晶圓1內部，所述第三光電二極管2.3位于所述藍色濾光片3.3正下方的晶圓1內部，所述第一光電二極管2.1與第二光電二極管2.2之間的晶圓1背面設有溝槽6，且所述第二光電二極管2.2與第三光電二極管2.3之間的晶圓1背面也設有溝槽6，所述兩條溝槽6分別從所述晶圓1背面貫穿至所述晶圓1正面，所述兩溝槽內6均填充有金屬物質，所述所述金屬物質可以為鋁也可以為鎢。所述靠近晶圓1背面的溝槽6寬度大于靠近晶圓1正面的溝槽6寬度。

在晶圓1背面設有溝槽6，且溝槽6貫穿于所述晶圓1，此溝槽6為深溝槽，在晶圓1背部刻蝕有深溝槽，然后填充金屬物質，解決了背照式CMOS影像傳感器的串擾，提高了產品的性能。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。