[發(fā)明專利]在標(biāo)準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)中形成具有金屬化電阻器的集成電路的方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310456049.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972227A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬威宇;陳柏廷;陳庭榆;陳國(guó)基;田麗鈞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L21/822;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路，包括：

半導(dǎo)體器件層，包括在相鄰柵電極線之間具有固定柵電極間距的標(biāo)準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)；以及

電阻器，由介于所述標(biāo)準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)的相鄰柵電極線之間的金屬形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述集成電路是跨電源域中的器件充電模型（CMD）靜電放電（ESD）保護(hù)電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述CMD ESD保護(hù)電路包括所述電阻器和柵極接地NMOS（ggNMOS）電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述CMD ESD保護(hù)電路被布置和構(gòu)建成具有相互鄰接的相鄰標(biāo)準(zhǔn)單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述CMD ESD保護(hù)電路連接在第一域的第一反相器電路和第二域的第二反相器電路之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻器的值為200歐姆。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻器的值為100歐姆。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻器的值為50歐姆。

9.一種制造集成電路的方法，所述方法包括：

形成以柵電極間距間隔開(kāi)的多條柵電極線以形成核心標(biāo)準(zhǔn)單元器件；

在相鄰柵電極線之間至少施加第一金屬層以形成電阻器的一部分；以及

至少施加與所述第一金屬層連接的第二金屬層以形成所述電阻器的另一部分。

10.一種用于跨域標(biāo)準(zhǔn)單元的器件充電模型（CMD）靜電放電（ESD）保護(hù)電路，包括：

柵極接地NMOS器件；以及

電阻器，與所述柵極接地NMOS器件連接，所述電阻器由包含所述柵極接地NMOS器件和所述電阻器的標(biāo)準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)的相鄰多晶硅線之間的一個(gè)或多個(gè)金屬層形成。