[發(fā)明專(zhuān)利]低溫多晶硅薄膜的制備方法、薄膜晶體管和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310455936.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103489788A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王磊;田雪雁;任章淳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/786;H01L21/268
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜上覆蓋光學(xué)增透薄膜；

對(duì)所述光學(xué)增透薄膜進(jìn)行光刻，使得所述光學(xué)增透薄膜表面具有陣列排布的聚光結(jié)構(gòu)；

對(duì)覆蓋有所述光學(xué)增透薄膜的非晶硅薄膜進(jìn)行激光照射，使得所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為所述低溫多晶硅薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述對(duì)覆蓋有所述光學(xué)增透薄膜的非晶硅薄膜進(jìn)行激光照射，使得所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為所述低溫多晶硅薄膜之前，還包括：

對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行去氫處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，

所述聚光結(jié)構(gòu)為凹陷，所述凹陷的底面為球面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，

所述聚光結(jié)構(gòu)的直徑為500nm～5μm，相鄰兩所述聚光結(jié)構(gòu)的邊緣最近距離為500nm～5μm，所述聚光結(jié)構(gòu)的直徑與相鄰兩所述聚光結(jié)構(gòu)的邊緣最近距離的比值為1:1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，

所述光學(xué)增透薄膜采用厚度為四分之一波長(zhǎng)的光學(xué)增透薄膜，所述波長(zhǎng)為所述激光的波長(zhǎng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，

所述非晶硅薄膜的厚度為50nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述在基板上沉積非晶硅薄膜之前，還包括：

在所述基板上沉積緩沖層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，

所述緩沖層的材質(zhì)為硅的氮化物或硅的氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：

所述激光為準(zhǔn)分子激光。

10.一種薄膜晶體管，包括設(shè)置于襯底基板上的有源層和位于所述有源層上的絕緣薄膜，其特征在于，

所述有源層的材質(zhì)為低溫多晶硅薄膜；

所述絕緣薄膜為光學(xué)增透薄膜，所述光學(xué)增透薄膜表面具有陣列排布的聚光結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

位于所述襯底基板和所述有源層之間的緩沖層，所述緩沖層的材質(zhì)為硅的氮化物或硅的氧化物。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10-11任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。