[發(fā)明專利]一種引線框架的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310455710.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN103531486A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎超豐;鄧道斌;鄭康定;李昌文;林海見
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33228
• 代理人: 李迎春

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及引線框架技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種引線框架的制作方法。

背景技術(shù)

引線框架作為集成電路的芯片載體，是制作生產(chǎn)集成電路半導(dǎo)體元件的基本部件。引線框架一般包括多個(gè)呈矩陣排列的功能單元，所述功能單元包括中間的裝片區(qū)（用于安裝芯片）和裝片區(qū)周圍的打線區(qū)（打線區(qū)由多個(gè)小焊點(diǎn)組成）。這種引線框架一旦制成，裝片區(qū)與打線區(qū)的尺寸便是固定的，即換過來說，制備不同尺寸（包括裝片區(qū)、打線區(qū)）的引線框架，就需要不同尺寸的模具。所以該引線框架制備過程中，為了制備不同尺寸的引線框架，需要不同尺寸的模具，這使得引線框架的制備成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種引線框架的制作方法，該方法可以用于制作不同尺寸的引線框架，且成本低、適用范圍廣。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：

一種引線框架的制作方法，以矩形的銅合金片為基材，其特征在于包括以下步驟：

（1）半蝕刻：對(duì)銅合金片基材正面進(jìn)行半蝕刻，使在銅合金片基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺(tái)，圓形凸臺(tái)的截面圓直徑為0.25-0.35mm、相鄰圓形凸臺(tái)同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm。

（2）電鍍：根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量選擇合適位置的圓形凸臺(tái)進(jìn)行表面電鍍，形成電鍍區(qū)，電鍍金屬為銀或鎳鈀金。舉個(gè)例子，在圓形凸臺(tái)的截面圓直徑為0.25mm、相鄰圓形凸臺(tái)同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm的情況下：若需安裝的芯片為1cm×1cm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為88根，則電鍍選擇的圓形凸臺(tái)為一個(gè)23×23方形矩陣圓形凸臺(tái)的最外面一圈；若需安裝的芯片為1cm×1cm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為180根，則電鍍選擇的圓形凸臺(tái)為一個(gè)24×24方形矩陣圓形凸臺(tái)的最外面兩圈；若需安裝的芯片為0.5cm×0.5cm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為48根，則電鍍選擇的圓形凸臺(tái)為一個(gè)13×13方形矩陣圓形凸臺(tái)的最外面一圈。這里面電鍍區(qū)作為焊引線之用、即相當(dāng)于打線區(qū)，電鍍區(qū)內(nèi)部的區(qū)域作為裝芯片之用、即相當(dāng)于裝片區(qū)，而電鍍區(qū)和內(nèi)部的裝片區(qū)合起來就組成了引線框架的功能單元。

（3）塑封：對(duì)步驟（1）中半蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，塑封的材料為環(huán)氧樹脂。

（4）二次背面蝕刻：對(duì)銅合金片基材上塑封區(qū)下面的區(qū)域繼續(xù)蝕刻并蝕穿，使銅合金片基材形成若干個(gè)呈矩陣排列的圓柱形臺(tái)。

（5）絕緣：對(duì)步驟（4）中蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行絕緣，絕緣的材料為綠油。

（6）切割成型：根據(jù)使用需要進(jìn)行切割，形成包括一個(gè)或若干個(gè)呈矩陣排列的功能單元的引線框架。若使用僅需要一個(gè)功能單元就夠了，那么就切割形成一個(gè)功能單元的引線框架，若使用需要多個(gè)功能單元，那么就切割成相應(yīng)數(shù)量功能單元的引線框架。

本發(fā)明引線框架的制作方法在進(jìn)行蝕刻時(shí)，僅僅是蝕刻形成呈矩陣排列的圓形凸臺(tái)，不管預(yù)制作的集成電路元件需要的芯片尺寸是什么、焊引線的數(shù)量為多少，蝕刻步驟和使用的模具都一樣，而至于預(yù)制作的集成電路中裝片區(qū)和打線區(qū)的規(guī)格，只要通過電鍍時(shí)對(duì)電鍍位置進(jìn)行一個(gè)適合的選擇即可，所以本發(fā)明引線框架的制作方法步驟簡單、使用一個(gè)模具就可以實(shí)現(xiàn)制作不同尺寸的引線框架、制作成本低、適用范圍廣。

附圖說明

圖1所示的是本發(fā)明引線框架制作方法的工序示意圖。

其中：1、銅合金片；2、圓形凸臺(tái)；3、電鍍區(qū)；4、塑封區(qū)；5、圓柱形臺(tái)；6、絕緣區(qū)。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步具體描述，但不局限于此。

如圖1所示，本實(shí)施例引線框架的制作方法，該方法以矩形的銅合金片1為基材，具體包括以下步驟：

（1）半蝕刻：對(duì)銅合金片1基材正面進(jìn)行半蝕刻，使在銅合金片1基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺(tái)2，圓形凸臺(tái)2的截面圓直徑為0.25-0.35mm、相鄰圓形凸臺(tái)12同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm，得到圖1（a）所示；

（2）電鍍：根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量選擇合適位置的圓形凸臺(tái)2進(jìn)行表面電鍍，形成電鍍區(qū)3，電鍍金屬為銀或鎳鈀金，當(dāng)為鎳鈀金時(shí)在基材表面依次電鍍鎳層0.5-2.0um、鈀層20-150nm、金層3-15nm，得到如圖1（b）所示；

（3）塑封：對(duì)步驟（1）中半蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，形成塑封區(qū)4，塑封的材料為環(huán)氧樹脂，得到如圖1（c）所示；

（4）二次背面蝕刻：對(duì)銅合金片1基材上塑封區(qū)4下面的區(qū)域繼續(xù)蝕刻并蝕穿，使銅合金片1被蝕刻成呈矩陣排列的圓柱形臺(tái)5，得到如圖1（d）所示；