[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310455091.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN104518158A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括陽極導(dǎo)電基板以及在陽極導(dǎo)電基板上依次層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括在金屬陰極上依次層疊設(shè)置的碳氧化鍺層和無機(jī)阻擋層；所述碳氧化鍺層的材料為鍺氧碳化合物；所述無機(jī)阻擋層的材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳氧化鍺層厚度為200～300nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層厚度為15～20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳氧化鍺層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述封裝層為3～5個(gè)基本結(jié)構(gòu)層疊而成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陽極導(dǎo)電基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板；所述導(dǎo)電玻璃基板材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物和銦鋅氧化物中的一種；所述導(dǎo)電有機(jī)薄膜基板材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括發(fā)光層，以及包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。

7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形；

（2）通過真空蒸鍍的方式在陽極導(dǎo)電基板上依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和金屬陰極，蒸鍍速率為真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa；

（3）封裝層的制備方法如下：

（a）通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式在金屬陰極表面制備碳氧化鍺層，采用有機(jī)鍺化合物以及N₂O為反應(yīng)氣體，以Ar氣為載氣，控制有機(jī)鍺化合物的流量為20～25sccm，N₂O、Ar氣混合氣體的流量為20～50sccm，N₂O流量與N₂O、Ar氣混合氣體流量的比值為R，R值為40～60%，控制工作壓強(qiáng)為10～80Pa，沉積溫度為30～60℃，射頻功率為0.1～1W/cm²；所述有機(jī)鍺化合物包括六甲基二鍺氧烷、四甲基鍺烷或四乙氧基鍺烷；

（b）通過原子層沉積的方式在碳氧化鍺層表面制備無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層的材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種，分別采用四（二氯甲基胺基）鈦、四（二氯甲基胺基）鋯、四（二氯甲基胺基）鉿和水蒸氣作為前驅(qū)物，N₂作為凈化氣體；控制金屬胺基物注入0.2～1s，水蒸氣注入20～40ms，兩者之間間隔5～10s的N₂，流量均為10～20sccm，控制工作壓強(qiáng)為10～80Pa，沉積溫度為40～60℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟（a）中碳氧化鍺層的沉積厚度為200～300nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟（b）中無機(jī)阻擋層的沉積厚度為15～20nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，在所述步驟（b）后采用和步驟（a）相同的方法和材料在無機(jī)阻擋層上制備碳氧化鍺層，再在所述碳氧化鍺層上采用步驟（b）相同的方法和材料制備無機(jī)阻擋層，所述碳氧化鍺層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備得到3～5個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成的封裝層。