[發明專利]半導體封裝結構有效
| 申請號： | 201310454934.8 | 申請日： | 2013-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN103489842A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 石磊;陶玉娟 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
半導體基底，位于所述半導體基底上的焊墊層；
覆蓋所述半導體基底和部分焊墊層表面的鈍化層，所述鈍化層中具有暴露部分焊墊層表面的第一開口；
位于第一開口的側壁和底部以及部分鈍化層上的凸下金屬層；
位于部分凸下金屬層上的金屬柱；
位于金屬柱的底部側壁和部分凸下金屬層上的底層金屬層。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述底層金屬層可以為單層或多層堆疊結構。
3.如權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述底層金屬層為雙層堆疊結構，所述雙層堆疊結構包括浸潤金屬層、位于浸潤金屬層上的填充金屬層。
4.如權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述浸潤金屬層為鎳、鈦、鉭中的一種或幾種，所述填充金屬層為鋁、鎢、銅、銀、錫、鉑、金中的一種或幾種。
5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述底層金屬層的材料與凸下金屬層的材料不相同。
6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：位于所述鈍化層上的聚合物層。
7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：位于金屬柱頂部表面上的擴散阻擋層；位于擴散阻擋層上的凸點。
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