[發(fā)明專利]用于數(shù)字X射線檢測(cè)器的薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310454886.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN103839948A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金旲奎;河晟峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;G01T1/36
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種用于數(shù)字X射線檢測(cè)器的薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

多條選通線，所述多條選通線用于提供掃描信號(hào)；

多條數(shù)據(jù)線，所述多條數(shù)據(jù)線設(shè)置在與所述選通線垂直的方向上，用于輸出數(shù)據(jù)；

光電二極管，所述光電二極管處于由所述選通線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個(gè)單元區(qū)中的每一個(gè)中，用于執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換，所述光電二極管包括按次序?qū)訅旱牡谝浑姌O、半導(dǎo)體層、第二電極；

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管處于所述選通線與所述數(shù)據(jù)線之間的多個(gè)交叉點(diǎn)中的每一個(gè)處，用于響應(yīng)于所述選通線的掃描信號(hào)向所述數(shù)據(jù)線輸出來自所述光電二極管的光電轉(zhuǎn)換信號(hào)；

多條偏壓線，所述多條偏壓線用于向所述光電二極管施加偏置電壓；

遮光層，所述遮光層處于所述薄膜晶體管的溝道區(qū)上方，所述遮光層電連接至所述選通線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線和所述偏壓線平行地形成在所述光電二極管的兩側(cè)處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述遮光層由與所述數(shù)據(jù)線和所述偏壓線相同的材料形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述遮光層由與所述光電二極管的所述第一電極相同的材料形成。

5.一種用于數(shù)字X射線檢測(cè)器的薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管形成在基板上，所述薄膜晶體管設(shè)置有源電極、漏電極、從選通線突出的柵電極；

第一層間絕緣膜，所述第一層間絕緣膜處于所述基板的整個(gè)表面上，具有處于所述源電極上的第一接觸孔；

光電二極管的第一電極，所述第一電極處于所述層間絕緣膜上，使得所述第一電極通過所述第一接觸孔連接至所述源電極；

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層形成在所述第一電極上；

所述光電二極管的第二電極，所述第二電極處于所述半導(dǎo)體層上；

第二層間絕緣膜，所述第二層間絕緣膜處于所述基板的包括所述光電二極管的所述第二電極的整個(gè)表面上；

第四接觸孔，所述第四接觸孔處于所述選通線上方、所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜中；

遮光層，所述遮光層處于所述薄膜晶體管的溝道區(qū)上方、所述第二層間絕緣膜上，使得所述遮光層通過所述第四接觸孔連接至所述選通線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述遮光層由與所述數(shù)據(jù)線和所述偏壓線相同的材料形成。

7.一種用于數(shù)字X射線檢測(cè)器的薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管處于基板上，所述薄膜晶體管設(shè)置有源電極、漏電極、從選通線突出的柵電極；

第一層間絕緣膜，所述第一層間絕緣膜處于所述基板的整個(gè)表面上，所述第一層間絕緣膜具有處于所述源電極上的第一接觸孔和處于所述選通線上的第四接觸孔；

光電二極管的第一電極，所述第一電極處于所述層間絕緣膜上，使得所述第一電極通過所述第一接觸孔連接至所述薄膜晶體管的所述源電極；

遮光層，所述遮光層處于所述薄膜晶體管的溝道區(qū)上方、所述第一層間絕緣膜上，使得所述遮光層通過所述第四接觸孔連接至所述選通線；

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層處于所述第一電極上；

所述光電二極管的第二電極，所述第二電極處于所述半導(dǎo)體層上；

第二層間絕緣膜，所述第二層間絕緣膜處于包括所述遮光層和所述光電二極管的所述第二電極的所述基板的整個(gè)表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述遮光層由與所述光電二極管的所述第一電極相同的材料形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板還包括：

第二接觸孔，所述第二接觸孔形成在所述薄膜晶體管的所述漏電極上方、所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜上；

第三接觸孔，所述第三接觸孔處于所述光電二極管的所述第二電極上、所述第二層間絕緣膜上；

數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線處于所述第二層間絕緣膜上，使得所述數(shù)據(jù)線通過所述第二接觸孔連接至所述漏電極；

偏壓線，所述偏壓線處于所述第二層間絕緣膜上，使得所述偏壓線通過所述第三接觸孔連接至所述光電二極管的所述第二電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線和所述偏壓線平行地形成在所述光電二極管的兩側(cè)處。