[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310454878.8
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104518113A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、發光功能層、陰極層和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括至少一個封裝單元，所述封裝單元包括依次疊層設置的碳氮化硅阻擋層、第一無機阻擋層和第二無機阻擋層，所述碳氮化硅阻擋層的材質為碳氮化硅化合物，所述第一無機阻擋層的材質為ⅢA族金屬的氧化物，所述第二無機阻擋層的材質為ⅣB族金屬的氧化物。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述ⅢA族金屬的氧化物為三氧化二硼、三氧化二鋁、三氧化二鎵、三氧化二銦或三氧化二鉈，所述ⅣB族金屬的氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻擋層的厚度為150nm～200nm，所述第一無機阻擋層的厚度為15nm～20nm，所述第二無機阻擋層的厚度為15nm～20nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述封裝單元重復設置3～5次。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的導電基板上制備有機電致發光器件的陽極圖形形成陽極導電基板；采用真空蒸鍍的方法在陽極導電基板上制備發光功能層和陰極層；

（2）在陰極層上制備封裝層，所述封裝層包括至少一個封裝單元，所述封裝單元的制備方法如下：

（a）碳氮化硅阻擋層的制作：

采用等離子體增強化學氣相沉積法在所述陰極層表面沉積碳氮化硅阻擋層，所述碳氮化硅阻擋層的材質為碳氮化硅化合物，在所述沉積碳氮化硅阻擋層的過程中，沉積溫度為40～60℃，采用的氣源為甲基硅烷、氨氣和氫氣，其中，所述氫氣的流量為190～210sccm，所述甲基硅烷的流量為4～10sccm，所述氨氣的流量為所述甲基硅烷流量的20～30倍；

（b）第一無機阻擋層的制作：

通過原子層沉積的方法在所述碳氮化硅阻擋層上沉積第一無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材質為ⅢA族金屬的氧化物，在所述沉積第一無機阻擋層的過程中，沉積溫度為40～60℃，采用的前驅體為ⅢA族金屬的三甲基化合物和水蒸氣，所述ⅢA族金屬的三甲基化合物和水蒸氣的注入時間皆為10～20ms，兩者之間間隔注入惰性氣體，所述惰性氣體的注入時間為5～10s，所述ⅢA族金屬的三甲基化合物、水蒸氣和惰性氣體的流量皆為10～20sccm；

（c）第二無機阻擋層的制作：

通過原子層沉積的方法在所述第一無機阻擋層上沉積第二無機阻擋層，得到有機電致發光器件，其中，所述第二無機阻擋層的材質為ⅣB族金屬的氧化物，在所述沉積第二無機阻擋層的過程中，沉積溫度為40～60℃，采用的前驅體為ⅣB族金屬的四（二甲基胺基）化合物和水蒸氣，所述ⅣB族金屬的四（二甲基胺基）化合物和水蒸氣的注入時間分別為0.2～1s和20～40ms，兩者之間間隔注入惰性氣體，所述惰性氣體的注入時間為5～10s，所述ⅣB族金屬的四（二甲基胺基）化合物、水蒸氣和惰性氣體的的流量皆為10～20sccm。

7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟（b）中，所述ⅢA族金屬的三甲基化合物為三甲基化硼、三甲基化鋁、三甲基化鎵、三甲基化銦或三甲基化鉈，所述ⅢA族金屬的氧化物為三氧化二硼、三氧化二鋁、三氧化二鎵、三氧化二銦或三氧化二鉈；所述步驟（c）中，所述ⅣB族金屬的四（二甲基胺基）化合物為四（二甲基胺基）鈦、四（二甲基胺基）鋯或四（二甲基胺基）鉿，所述ⅣB族金屬的氧化物為二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿。

8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述氮氧化硅阻擋層的厚度為150nm～200nm，所述第一無機阻擋層的厚度為15nm～20nm，所述第二無機阻擋層的厚度為15nm～20nm。

9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝單元重復設置3～5次。

10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。