[發明專利]有機電致發光器件的封裝結構及封裝方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310454581.1
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103490019A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 尤娟娟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種有機電致發光器件的封裝結構，其特征在于，包括：

用于承托所述有機電致發光器件的基板；

位于所述基板上的所述有機電致發光器件；

覆蓋所述有機電致發光器件的至少一個薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由無機薄膜、氟碳聚合物薄膜和位于所述無機薄膜和氟碳聚合物薄膜之間的有機聚合物薄膜組成。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的封裝結構，其特征在于，所述有機電致發光器件上覆蓋有1～20個薄膜封裝層。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的封裝結構，其特征在于，所述氟碳聚合物薄膜為將氟碳氣體等離子體聚合形成的聚合物薄膜，所述氟碳氣體包括CHF₃、C₃F₈、C₄F₁₀、C₂F₄和C₄F₈。

4.根據權利要求3所述的有機電致發光器件的封裝結構，其特征在于，所述無機薄膜的厚度為5nm-200nm，所述氟碳聚合物薄膜的厚度為5nm-200nm，所述有機聚合物薄膜的厚度為5nm-200nm。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的有機電致發光器件的封裝結構，其特征在于，所述無機薄膜的材料選自Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、MgO、HfO₂、Ta₂O₅、Si₃N₄、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO₂、SiO_x、SiC和ITO。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的有機電致發光器件的封裝結構。

7.一種有機電致發光的封裝方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制備所述有機電致發光器件；

在所述有機電致發光器件上形成至少一個薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由無機薄膜、氟碳聚合物薄膜和位于所述無機薄膜和氟碳聚合物薄膜之間的有機聚合物薄膜組成。

8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特征在于，在所述有機電致發光器件上形成薄膜封裝層包括：

在所述有機電致發光器件上沉積一層無機材料形成所述無機薄膜；

在所述無機薄膜上沉積一層有機聚合物形成所述有機聚合物薄膜；

在所述有機聚合物薄膜上將氟碳氣體等離子體聚合形成所述氟碳聚合物薄膜。

9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特征在于，所述在所述有機電致發光器件上沉積一層無機材料形成所述無機薄膜包括：

采用離子束濺射、或磁控濺射沉積、或原子層沉積在所述有機電致發光器件上沉積一層無機材料形成所述無機薄膜。

10.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特征在于，所述在所述無機薄膜上沉積一層有機聚合物形成所述有機聚合物薄膜包括：

采用溶液成膜法或化學氣相沉積法在所述無機薄膜上沉積一層有機聚合物形成所述有機聚合物薄膜。

11.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的封裝方法，其特征在于，所述在所述有機聚合物薄膜上將氟碳氣體等離子體聚合形成所述氟碳聚合物薄膜包括：

對氟碳氣體進行射頻放電產生氟碳氣體等離子體，其中射頻源頻率為13.56MHz，射頻源功率為50-200W，環境壓力為350mTorr，氟碳氣體流速為20-80sccm。