[發明專利]一種可尋址電調成像波譜紅外探測芯片有效
| 申請號: | 201310454559.7 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103542939A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 張新宇;羅俊;康勝武;佟慶;張靜;李利榮;趙慧;桑紅石;謝長生 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | G01J5/00 | 分類號: | G01J5/00 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 尋址 成像 波譜 紅外 探測 芯片 | ||
1.一種可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,包括電調成像波譜液晶模塊、面陣非制冷紅外探測器和驅控預處理模塊;其中,
所述面陣非制冷紅外探測器被劃分成多個陣列分布的子面陣非制冷紅外探測器,每個子面陣非制冷紅外探測器包括數量和排布方式相同的多個陣列分布的光敏元;
所述電調成像波譜液晶模塊與所述面陣非制冷紅外探測器匹配耦合,包括多個陣列分布的電調成像波譜液晶結構單元,電調成像波譜液晶結構單元與子面陣非制冷紅外探測器一一對應;
所述電調成像波譜液晶模塊用于使目標波束發生多級次高反射干涉相干,通過獨立調節加載在各電調成像波譜液晶結構單元上的電壓信號,調變透過各電調成像波譜液晶結構單元的譜紅外光波的波長;
所述面陣非制冷紅外探測器用于將透過所述電調成像波譜液晶模塊的譜紅外光波轉換成電信號;
所述驅控預處理模塊用于將光電信號進行量化、配準和非均勻性校正,得到目標紅外圖像數據。
2.如權利要求1所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述電調成像波譜液晶模塊和所述面陣非制冷紅外探測器均為m×n元,其中,m、n均為大于1的整數。
3.如權利要求1所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述子面陣非制冷紅外探測器為p×q元,其中,p、q均為大于1的整數。
4.如權利要求1至3中任一項所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述驅控預處理模塊采用SoC和FPGA結合的結構。
5.如權利要求1至4中任一項所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述驅控預處理模塊還用于為所述電調成像波譜液晶模塊和所述面陣非制冷紅外探測器提供驅動和調控信號,驅動所述電調成像波譜液晶模塊和所述面陣非制冷紅外探測器工作,并對施加在各電調成像波譜液晶結構單元上的電壓信號進行調控。
6.如權利要求1所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,還包括陶瓷外殼和金屬支撐散熱板;其中,
所述陶瓷外殼位于所述金屬支撐散熱板的上方,所述金屬支撐散熱板與所述陶瓷外殼固聯,用于支撐和散熱,所述驅控預處理模塊、所述面陣非制冷紅外探測器和所述電調成像波譜液晶模塊同軸順序置于所述陶瓷外殼內,其中,所述面陣非制冷紅外探測器位于所述驅控預處理模塊的上方,所述電調成像波譜液晶模塊位于所述面陣非制冷紅外探測器的上方且其光入射面通過所述陶瓷外殼的面部開孔裸露出來。
7.如權利要求6所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述驅控預處理模塊上設有第二端口和第二指示燈,所述面陣非制冷紅外探測器上設有第三端口和第三指示燈,所述電調成像波譜液晶模塊上設有第四端口和第四指示燈;
所述第二端口用于從所述驅控預處理模塊向所述面陣非制冷紅外探測器和所述電調成像波譜液晶模塊輸出驅動和調控信號,還用于接收來自所述面陣非制冷紅外探測器的紅外光電響應信號,還用于接收外部設備向探測器輸入的工作指令,所述第二指示燈用于指示所述驅控預處理模塊是否處在正常的工作狀態;
所述第三端口用于輸入所述驅控預處理模塊提供給所述面陣非制冷紅外探測器的驅動和調控信號,還用于從所述面陣非制冷紅外探測器向所述驅控預處理模塊輸出紅外光電響應信號,所述第三指示燈用于指示所述面陣非制冷紅外探測器是否處在正常工作狀態;
所述第四端口用于輸入所述驅控預處理模塊提供給所述電調成像波譜液晶模塊的驅動和調控信號,所述第四指示燈用于指示所述電調成像波譜液晶模塊是否處在正常工作狀態。
8.如權利要求7所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述驅控預處理模塊上設有第一端口和第一指示燈,所述第一端口用于接入電源線以連接外部電源,所述第一指示燈用于指示電源是否接通。
9.如權利要求8所述的可尋址電調成像波譜紅外探測芯片,其特征在于,所述驅控預處理模塊上設有第五端口和第五指示燈,所述第五端口用于將所述目標紅外圖像數據從所述驅控預處理模塊輸出,所述第五指示燈用于指示所述驅控預處理模塊是否處在正常的數據輸出狀態。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華中科技大學,未經華中科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310454559.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





