[發(fā)明專利]一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310454515.4
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103522205A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦景廠;郭留希;袁德祿;李曉蘋
• 申請（專利權(quán)）人: 河南華茂新材料科技開發(fā)有限公司
• 主分類號: B24D3/00
• 分類號: B24D3/00;B24D3/14;B22F3/16
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 朱廣存

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種超波切割片及其制備方法，尤其是一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片及其制備方法。

背景技術(shù)

超薄切割片在電子電路及電路板加工方面有廣泛的應(yīng)用。金屬切割片因為加工效率低，鋒利度不好，在加工過程中容易產(chǎn)生毛刺和拉伸現(xiàn)象，導(dǎo)致加工出來的產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定；樹脂切割片在加工過程中產(chǎn)生的高溫下，使樹脂發(fā)生碳化產(chǎn)生碳粉，粘附在被加工表面，容易產(chǎn)生短路等情況，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量；陶瓷切割片具有耐高溫，高溫穩(wěn)定性好，加工效率高，加工質(zhì)量好等優(yōu)點，其在電子電路加工方面，具有良好的應(yīng)用前景，但由于陶瓷產(chǎn)品自身的特點，其組織具有一定數(shù)量的氣孔，其強度相對較低，從而限制了它的應(yīng)用。

加工電子電路的超薄切割片的規(guī)格要求：D60*38*0.15mm，達(dá)到30000轉(zhuǎn)/分，然而常規(guī)工藝做出的產(chǎn)品無法滿足這么高的強度，一般在15000轉(zhuǎn)/分，一下就解體了，無法滿足使用要求。因此研究一種適合于加工電子電路的超薄陶瓷切割片是很有意義的事情。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片及其制備方法，解決了現(xiàn)有陶瓷切割片強度低，無法滿足切割電子電路板的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片，按照體積比計，包括5-38%的低熔點金屬。

進(jìn)一步，本發(fā)明的一種優(yōu)選方案為：所述的低熔點金屬為Al、Cu、Sn、Zn、Pb、鋁合金、銅合金、錫合金、鋅合金和鉛合金其中的一種或一種以上的混合物。

進(jìn)一步，本發(fā)明的一種優(yōu)選方案為：按照重量百分比計，包括30%的低熔點金屬。

一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片的制備方法，包括以下步驟：

第一步、將低熔點金屬、陶瓷結(jié)合劑和磨料混合均勻，按照體積比計，包括陶瓷結(jié)合劑為25%-35%，所述的磨料為37-50%，所述的低熔點金屬5-38%，余量為氣孔；

第二步、將第一步混合后的原料裝入模具，壓制成型，得到切割片；

第三步、將第二步壓制的切割片在600-700℃真空燒制；

第四步、將第三步燒制后的切割片加工到尺寸要求，即得高強度陶瓷超薄切割片。

進(jìn)一步，所述的進(jìn)一步，本發(fā)明的一種優(yōu)選方案為：所述的磨料為：金剛石、CBN和SG中的一種。

進(jìn)一步，本發(fā)明的一種優(yōu)選方案為：所述的第三步中的真空燒制的條件為：真空度為10^-4-10^-5個大氣壓。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明的高強度陶瓷超薄切割片，在普通陶瓷切割片的基礎(chǔ)上加入金屬元素，使生產(chǎn)的陶瓷超薄切割片的強度大大提高，達(dá)到≧50000轉(zhuǎn)/分，不解體，且鋒利，達(dá)到客戶使用要求，客戶的產(chǎn)品質(zhì)量得到了提高，大幅度提高了成品率。

具體實施方式

下面將結(jié)合具體的實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實施例

一種含金屬的高強度陶瓷超薄切割片的制備方法，以D65*40*1.5mm的砂輪為例，包括以下步驟：

第一步、將低熔點金屬、陶瓷結(jié)合劑和磨料混合均勻，按照體積比計，包括陶瓷結(jié)合劑為25%-35%，所述的磨料為37-50%，所述的低熔點金屬5-38%，余量為氣孔；

第二步、將第一步混合后的原料裝入模具，壓制成型，得到切割片；

第三步、將第二步壓制的切割片真空燒制，燒制溫度：600-700℃，真空度：10^-4-10^-5個大氣壓；

第四步、將第三步燒制后的切割片加工到D65*40*1.5mm，即得高強度陶瓷超薄切割片。

本實施例中的陶瓷結(jié)合劑可以為已經(jīng)公開的任何陶瓷結(jié)合劑，本實施例中的陶瓷結(jié)合劑，按照重量百分比計，具體：

SiO₂60%，Al₂O₃13.5%，BB₂O₃8.5%，K₂O15%,氧化鋇3%。

具體的陶瓷結(jié)合劑、磨料、低熔點金屬含量（檢測所得，按照重量百分比計）及制備的高強度陶瓷超薄切割片的轉(zhuǎn)速見表1。

表1不同低熔點金屬加入量和高強度陶瓷超薄切割片的轉(zhuǎn)速