[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201310454314.4
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104517841B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 馬燕春
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面依次形成介質層及多晶硅層，定義柵極結構區域，去除所述柵極結構區域以外的多晶硅層及介質層，形成柵極結構的介質柵層及多晶硅柵層，并于所述介質柵層及多晶硅柵層兩側形成柵極側墻；

2)對所述多晶硅柵層及所述柵極側墻兩側的半導體襯底進行N型離子注入及退火，形成N型多晶硅柵層及分別位于所述柵極側墻兩側下方的源區及漏區；

3)于上述結構表面形成至少覆蓋所述N型多晶硅柵層、源區及漏區的光刻膠，并于所述N型多晶硅柵層上方的光刻膠中形成注入窗口；

4)藉由所述注入窗口對所述N型多晶硅柵層進行P型離子注入，使所述N型多晶硅柵層部分反型為P型多晶硅柵層，并去除所述光刻膠。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟1)制作所述柵極側墻之前還包括采用N型離子注入工藝及退火工藝于所述半導體襯底中形成淺摻雜漏的步驟，所述淺摻雜漏的離子摻雜濃度為1e12～9e13/cm³。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述N型多晶硅柵層、源區及漏區的離子摻雜濃度為1e14～9e15/cm³。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟3)中，采用一定的離焦量對所述光刻膠進行曝光，以于所述N型多晶硅柵層上方的光刻膠中制作注入窗口，所述注入窗口的截面為U型面。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述注入窗口的寬度小于或等于所述N型多晶硅柵層的寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟4)去除所述光刻膠以后還包括對所述P型多晶硅柵層進行退火的步驟。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述P型多晶硅柵層位于所述N型多晶硅柵層之上，所述P型多晶硅柵層的離子摻雜濃度為1e15～9e16/cm³。