[發(fā)明專利]切割具有硅穿通道的半導(dǎo)體晶圓的方法及其所形成的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310452834.1
• 申請(qǐng)日: 2013-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN103811458A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 花霈馨;張惠珊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/78;B23K26/36;B23K26/364
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

一晶粒；

至少一導(dǎo)電通道，形成于該晶粒中；

一鈍化層，位于該晶粒的一背面的一部分，其中該導(dǎo)電通道凸出于該鈍化層；及

一保護(hù)蓋，位于該導(dǎo)電通道的凸出端；

其中該鈍化層具有一側(cè)面，該側(cè)面與該晶粒的該背面的一顯露部份間的夾角大于90度，該顯露部份是未被該鈍化層所覆蓋。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該晶粒的該背面的該顯露部份是位于沿著該晶粒的該背面的周圍的位置。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該晶粒的該背面的該顯露部份具有一第一表面粗糙度，該鈍化層的一上表面具有一第二表面粗糙度，該第一表面粗糙度實(shí)質(zhì)上小于該第二表面粗糙度。

4.如權(quán)利要求3的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第一表面粗糙度為激光燒結(jié)的結(jié)果。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該晶粒的一側(cè)面具有一第一部份、一第二部份及一第三部份，該第一部份具有一第三表面粗糙度，該第二部份具有一第四表面粗糙度，且該第三部份具有一第五表面粗糙度；其中該第三表面粗糙度、該第四表面粗糙度及該第五表面粗糙度實(shí)質(zhì)上不同。

6.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第四表面粗糙度為隱形激光切割的結(jié)果。

7.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第四表面粗糙度是大于該第一表面粗糙度至少50倍。

8.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體元件，其特征在于，該第三表面粗糙度及該第五表面粗糙度個(gè)別是大于該第一表面粗糙度。

9.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半導(dǎo)體元件，位于該基板上，且包括：

一晶粒；

至少一導(dǎo)電通道，形成于該晶粒中；

一鈍化層，位于該晶粒的一背面的一部分，其中該導(dǎo)電通道凸出于該鈍化層；及

一保護(hù)蓋，位于該導(dǎo)電通道的凸出端；

其中該鈍化層具有一缺口部份，沿著該鈍化層的周圍，且該鈍化層的一側(cè)面與該晶粒的該背面形成的夾角為90度至115度；

一第二半導(dǎo)體元件，位于該第一半導(dǎo)體元件上且電性連接至該導(dǎo)電通道；及

一封膠材料，包覆該基板、該第一半導(dǎo)體元件及該第二半導(dǎo)體元件。

10.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)蓋包括一晶種層、位于該晶種層上的一銅層、位于該銅層上的一鎳層、位于該鎳層上的一鈀層及位于該鈀層上的一金層。

11.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)蓋包括一晶種層、位于該晶種層上的一銅層、位于該銅層上的一鎳層及位于該鎳層上的一錫/銀合金或一金層。

12.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒的該背面的未被該鈍化層所覆蓋的一部份具有一第一表面粗糙度，且該鈍化層的一上表面具有一第二表面粗糙度，該第一表面粗糙度實(shí)質(zhì)上小于該第二表面粗糙度。

13.如權(quán)利要求12的的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一表面粗糙度為激光燒結(jié)的結(jié)果。

14.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒的一側(cè)面具有一第一部份、一第二部份及一第三部份，該第一部份具有一第三表面粗糙度，該第二部份具有一第四表面粗糙度，且該第三部份具有一第五表面粗糙度，其中該第三表面粗糙度、該第四表面粗糙度及該第五表面粗糙度實(shí)質(zhì)上不同。

15.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四表面粗糙度為隱形激光切割的結(jié)果。

16.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四表面粗糙度是大于該第一表面粗糙度至少50倍。

17.一種切割半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓具有一第一表面、一第二表面及一鈍化層，其中該鈍化層是位于該第二表面；

施加一第一激光于該鈍化層以移除該鈍化層的一部分且顯露該半導(dǎo)體晶圓的一部分；

施加一第二激光，其中該第二激光穿過(guò)該半導(dǎo)體晶圓的該第二表面且聚焦于該半導(dǎo)體晶圓的一內(nèi)部分；及

施加一橫向力于該半導(dǎo)體晶圓。