[發(fā)明專利]半導(dǎo)體組件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310452552.1
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104517919B
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣源峰;黃敏龍
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述半導(dǎo)體組件包含：

一硅基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；數(shù)個硅穿孔，自所述有源表面貫穿至所述背面；及數(shù)個導(dǎo)電柱，分別位于所述硅穿孔中，其中每一導(dǎo)電柱具有外露于所述背面的一外周面及一頂面；

一第一鈍化層，包含：一平坦部，覆蓋在所述背面；及一環(huán)狀部，包覆所述導(dǎo)電柱的外周面，其中所述環(huán)狀部的高度低于所述導(dǎo)電柱的頂面的高度；及

一第二鈍化層，覆蓋在所述第一鈍化層上，且所述第二鈍化層的高度低于所述第一鈍化層的環(huán)狀部的高度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述第二鈍化層與所述環(huán)狀部之間形成有一環(huán)槽。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述第二鈍化層與所述環(huán)狀部連接在一起。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述第一鈍化層的材料為聚酰亞胺、二氧化硅、氮化硅或聚對二甲苯。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述第二鈍化層的材料為苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺，且所述第一鈍化層的材料相對所述第二鈍化層的材料具有較低的蝕刻速度。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于：所述半導(dǎo)體組件還包含數(shù)個保護層，分別包覆在所述導(dǎo)電柱的外周面及所述第一鈍化層的環(huán)狀部之間，且所述保護層的高度等于所述環(huán)狀部的高度。

7.一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步驟：將一硅基板置于一載板上，所述硅基板包含：一有源表面；及一背面，相反于所述有源表面，所述有源表面貼附在所述載板上；

在所述硅基板上形成數(shù)個硅穿孔，所述硅穿孔自所述有源表面貫穿至所述背面；

在各所述硅穿孔中制作一導(dǎo)電柱，其中每一導(dǎo)電柱具有外露于所述背面的一外周面及一頂面；

將一第一鈍化層覆蓋在所述背面及所述導(dǎo)電柱的外周面與頂面上，再將一第二鈍化層覆蓋在所述第一鈍化層上，其中所述第二鈍化層具有一平整的外表面；及

對所述第一及第二鈍化層進行蝕刻，使所述第一鈍化層形成：一平坦部，覆蓋在所述背面；一環(huán)狀部，包覆所述導(dǎo)電柱的外周面，其中所述環(huán)狀部的高度低于所述導(dǎo)電柱的頂面的高度，及所述第二鈍化層的高度低于所述第一鈍化層的環(huán)狀部的高度。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二鈍化層進行蝕刻的步驟前，所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二鈍化層進行蝕刻的步驟中，所述第一及第二鈍化層進行等離子體干式蝕刻，使所述第二鈍化層與所述第一鈍化層的環(huán)狀部之間形成有一環(huán)槽。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二鈍化層進行蝕刻的步驟中，所述第一及第二鈍化層進行蝕刻液濕式蝕刻，使所述第二鈍化層與所述第一鈍化層的環(huán)狀部連接在一起。