[發明專利]超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法有效
| 申請號: | 201310452335.2 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103472133A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 鄧顯余;賽鵬;王佐森;周海波;朱青山;鄧屾;李港;陳衛東 | 申請(專利權)人: | 哈電集團(秦皇島)重型裝備有限公司 |
| 主分類號: | G01N29/04 | 分類號: | G01N29/04 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 劉冬梅 |
| 地址: | 066206 河北省秦*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超聲波 檢驗 焊縫 根部 缺陷 方法 | ||
1.一種超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,該方法是使用超聲波檢驗焊縫根部缺陷的裝置完成的,其中,超聲波檢驗焊縫根部缺陷的裝置包括通過電纜線相連的三晶片合成探頭和超聲波探傷儀,所述三晶片合成探頭是把三個晶片封裝在一個外殼內部的探頭;該方法包括以下步驟:
(1)按所執行的標準規定選擇超聲波檢驗焊縫根部缺陷的裝置和試塊,其中,所述試塊是CSK-IA和CSK-II/III/IVA;
(2)利用CSK-IA試塊,調節超聲波探傷儀的線性、設置各項超聲波探傷儀參數;并利用CSK-II/III/IVA試塊,確定探傷靈敏度,至少繪制兩次DAC曲線,同時保存調節設置好的參數;
所述DAC曲線繪制為單晶片探頭和雙晶片探頭,所述單晶片探頭是將三晶片合成探頭中封裝的三個晶片作為一個晶片整體的探頭,且三晶片合成探頭中封裝的三個晶片并聯連接,按常規方法檢驗;
所述雙晶片探頭是將所述三晶片合成探頭中封裝的三個晶片組合成一發射一接收雙晶片探頭,即三個晶片中一個作為發射晶片,另兩個晶片作為接收晶片;
(3)對被檢工件進行掃查,探頭移動按標準規定的鋸齒型和橫向的平行或斜平行進行,使探頭前后移動距離大于工件厚度TH與探頭橫波折射角的正切值K的乘積,即TH×K;
(4)當發現缺陷時,再作前后、左右、轉角、環繞等形式掃查,結合單晶片探頭的DAC曲線按標準對缺陷做出性質判斷與評級,并做好缺陷的文字記錄和工件標定;
(5)當發現焊縫根部有缺陷或懷疑有缺陷或根部回波異常時,把超聲波探傷儀的單晶片探頭模式換成雙晶片探頭模式,即檢測變成一發射一接收雙晶片探頭模式;
(6)再一次對根部有缺陷或懷疑有缺陷或根部回波異常部位進行掃查,探頭前后移動,使移動距離大于工件厚度TH與折射角的正切值K的乘積,即TH×K;
(7)對缺陷進行性質判斷與評級:按缺陷回波顯示、水平定位、底波變化等綜合分析,能準確的檢出焊縫中根部和近根部的缺陷,即可大致判斷出缺陷的方向、大小、性質,然后進行評級,所述評級按雙晶片探頭制作的DAC曲線參數執行。
2.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,所選用的三晶片合成探頭橫波折射角為36°~54°。
3.根據權利要求2所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,所選用的三晶片合成探頭橫波折射角為45°。
4.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,被檢工件厚度為40~200mm。
5.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,被檢工件的缺陷深度距根部表面為15~30mm。
6.根據權利要求7所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,被檢工件的缺陷深度距根部表面為22.5mm。
7.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,被檢工件的焊縫的結構為焊縫余高磨平的形狀和焊縫余高未磨平的形狀。
8.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,超聲波探傷儀為A超探傷儀器。
9.根據權利要求1所述的超聲波檢驗焊縫根部缺陷的方法,其特征在于,A超探傷儀器為數字機或模擬機。
10.超聲波檢驗焊縫根部缺陷的裝置,其如上述權利要求1-9中所述。
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