[發明專利]顯示裝置及電子設備有效
| 申請號: | 201310452293.2 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103713432B | 公開(公告)日: | 2017-01-04 |
| 發明(設計)人: | 松島壽治 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司11240 | 代理人: | 余剛,吳孟秋 |
| 地址: | 暫無信息 | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示裝置及電子設備的技術。特別地,涉及以橫向電場型控制液晶分子的液晶顯示裝置(簡稱LCD)等。
背景技術
在搭載在各種電子設備等的液晶顯示裝置中,作為橫向電場型,存在IPS(In-Plane-Switching)、FFS(Fringe?Field?Switching)等方式(也稱為模式)。橫向電場型與縱向電場型相比,在視野角的廣度或開口率(1像素區域之中對顯示有效的區域的面積率)等方面是有利的。
作為與FFS相關的現有技術例,有日本特開2008-52161號公報(專利文獻1)等。專利文獻1(“液晶裝置及電子設備”)中,記載了不使結構變復雜就實現開口率高的、顯示明亮的FFS方式的液晶裝置。
在IPS模式中,在同一層設置像素電極和公共電極,電場主要在與基板面平行的方向(設為X、Y方向)產生。因此,在像素電極的正上方的區域中難以形成電場,難以驅動該正上方的區域的液晶分子。
相對于此,在FFS模式中,在與基板面垂直的方向(設為Z方向),隔著電介質膜重疊設置像素電極和公共電極,主要相對基板面產生傾斜的方向或拋物線狀的電場(也稱為邊緣電場)。因此,像素電極的正上方的區域的液晶分子也變得容易驅動。即,在FFS模式中,能得到比IPS模式高的開口率。此外,以下稱設于上述重疊的上側一方的電極為上電極(第一電極),稱設于下側一方的電極為下電極(第二電極)。
然而,在上述的FFS方式的液晶顯示裝置等中,也存在響應速度的遲緩等的課題。此外這里所說的響應速度,是指對像素(包括上下電極)施加電壓時,使液晶的透射率在規定水平間遷移時的速度。即由從斷開(OFF)狀態(例如透射率=0)到接通(ON)狀態(透射率=1)遷移時、或者其反向遷移時所需的時間來規定。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2008-52161號公報。
發明內容
發明要解決的課題
鑒于以上內容,本發明的主要目的在于提供在視野角的廣度、開口率的高度等的基礎上,與現有的FFS方式等相比,還能夠提高響應速度、顯示質量等的新方式的顯示裝置等。
解決課題的手段
本發明之中的代表性方式,是顯示裝置及電子設備等,其特征在于具有以下所示的結構。
(1)本方式的顯示裝置是在對置的第一基板及第二基板之間具有液晶層的顯示裝置,設與畫面對應的基板面內方向為第一方向、第二方向,設垂直方向為第三方向時,具有:電極層,其具有對置的上電極和下電極,且在該上電極或下電極形成有具有沿所述第一方向延伸的多個狹縫的開口部;以及第一遮光膜部,其設于所述第一基板或第二基板,并且沿所述第一方向延伸。所述液晶層設于所述電極層上,并且在所述開口部的狹縫的寬度方向對置的一側及另一側的附近區域的液晶分子互相沿相反方向旋轉而取向。按每一像素,所述開口部的所述第二方向的至少一個最外的狹縫的端部的至少一部分因所述第三方向的所述第一遮光膜部的重疊而隱藏。
特別地,所述第一基板具有所述電極層以及在所述電極層和所述液晶層之間的第一取向膜。所述第二基板具有與所述液晶層之間的第二取向膜,所述第一取向膜沿作為與所述第一方向大致平行的方向的第一摩擦方向進行了摩擦處理作為所述取向處理,所述第二取向膜沿作為與所述第一取向膜的第一摩擦方向的反方向的第二摩擦方向進行了摩擦處理作為所述取向處理,所述液晶層的液晶分子的長軸沿所述第一摩擦方向排列,作為所述液晶層的液晶的初始取向狀態。
特別地,所述第一遮光膜部的所述第二方向的寬度是從所述開口部的最外的狹縫的端部的線往外側到規定的距離為止的寬度(H)以上。換言之第一遮光膜部的第二方向的寬度最低限度是能夠隱藏到該規定的距離為止的寬度(H)的部分的大小。
特別地,所述第一基板具有作為構成所述像素的單元的、沿所述第一方向延伸的第一電極線以及與所述第一電極線連接的開關元件,所述第一遮光膜部配置成重疊在所述第一電極線及開關元件之上,所述第一遮光膜部的所述第二方向的寬度是隱藏所述第一電極線及開關元件的寬度。
(結構A)特別地,所述上電極是按每像素具有開口的公共電極,所述下電極是具有按像素的電極部的像素電極,俯視下所述上電極的開口的區域成為所述開口部。
(結構B)特別地,所述上電極是具有按像素的電極部的像素電極,所述下電極是公共電極,在俯視下所述上電極的外側的區域成為所述開口部。
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