[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201310452241.5
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103700633A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 姜明成;高廷旼;樸商植;金沅槿;洪志碩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L25/065;H01L21/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;劉奕晴

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

第一半導體芯片；第二半導體芯片，位于第一半導體芯片上；第三半導體芯片，位于第二半導體芯片上；第四半導體芯片，位于第三半導體芯片上；以及

第一底填充層，位于第二半導體芯片和第一半導體芯片之間；第二底填充層，位于第三半導體芯片和第二半導體芯片之間；第三底填充層，位于第四半導體芯片和第三半導體芯片之間，

其中，第二底填充層包括與第一底填充層和第三底填充層不同的材料。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片和第二半導體芯片均具有彼此接觸的多個相對應的導電接觸，第二半導體芯片和第三半導體芯片均具有彼此接觸的多個相對應的導電接觸，第三半導體芯片和第四半導體芯片均具有彼此接觸的多個相對應的導電接觸。

3.如權利要求2所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片、第二半導體芯片、第三半導體芯片和第四半導體芯片中的一個或多個半導體芯片的導電接觸連接到從芯片的上表面穿到芯片的下表面的貫穿電極。

4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片的第一水平寬度大于第二半導體芯片的第二水平寬度，以及

第三半導體芯片的第三水平寬度大于第四半導體芯片的第四水平寬度。

5.如權利要求4所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片的第一水平寬度基本等于第三半導體芯片的第三水平寬度。

6.如權利要求4所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片的第一水平寬度大于第三半導體芯片的第三水平寬度。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第二底填充層超出第二半導體芯片的側壁突出。

8.如權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：成型層，位于第二半導體芯片的側壁處以及位于第二半導體芯片的頂表面的一部分上，其中，第二底填充層位于在第二半導體芯片的頂表面的所述一部分上的成型層和第三半導體芯片之間。

9.如權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：成型層，位于第一半導體芯片、第二半導體芯片、第三半導體芯片和第四半導體芯片的側壁處，其中，第二底填充層是所述成型層的一部分。

10.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一底填充層、第二底填充層、第三底填充層均包括粘合材料、粘合膜和能夠流動的液體填充材料中的一種或多種。

11.如權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

基體，第一半導體芯片安裝到所述基體，所述基體與第一半導體芯片具有彼此接觸的多個相對應的導電接觸，以及

基體底填充層，位于第一半導體芯片的下表面和所述基體之間。

12.如權利要求11所述的半導體封裝件，其中，基體底填充層包括粘合膜、粘合層和能夠流動的填充材料中的至少一種。

13.如權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片包括位于第一半導體芯片的下表面的多個導電接觸，第一半導體芯片還包括連接到所述多個導電接觸的芯片堆疊連接凸起。

14.如權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：成型層，位于第一半導體芯片、第二半導體芯片、第三半導體芯片和第四半導體芯片的側壁處以及位于第四半導體芯片的頂表面上。

15.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

第一子堆疊件，包括：一個第一半導體芯片和一個第二半導體芯片，第二半導體芯片位于第一半導體芯片上；子堆疊底填充層，位于第一子堆疊件的第二半導體芯片和第一半導體芯片之間；

第二子堆疊件，包括另一第一半導體芯片和另一第二半導體芯片，所述另一第二半導體芯片位于所述另一第一半導體芯片上；子堆疊底填充層，位于第二子堆疊件的第二半導體芯片和所述另一第一半導體芯片之間，第二子堆疊件位于第一子堆疊件上；

封裝件底填充層，位于第二子堆疊件和第一子堆疊件之間，其中，第一子堆疊件和第二子堆疊件的第一半導體芯片的至少一部分具有相同的構造，第一子堆疊件和第二子堆疊件的第二半導體芯片的至少一部分具有相同的構造。

16.如權利要求15所述的半導體封裝件，其中，封裝件底填充層包括與子堆疊底填充層不同的材料。