[發(fā)明專利]天線、天線制造方法以及移動終端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310452177.0
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN104518274B
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉鋒;龔道哲;周佳;杜國楹
• 申請（專利權(quán)）人: 北京壹人壹本信息科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/24
• 分類號: H01Q1/24;H01Q1/38;H01Q5/00;H01Q1/50
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種天線，其特征在于，包括多個金屬片、接地層以及開關(guān)器件，所述多個金屬片和所述接地層分別與所述開關(guān)器件連接，

其中，所述開關(guān)器件具有至少第一、第二兩種頻段配置模式，

當(dāng)所述開關(guān)器件處于第一頻段配置模式時，所述開關(guān)器件使得第一數(shù)量的金屬片與所述接地層連通，其中，所述第一數(shù)量的金屬片還具有第一分布，所述第一數(shù)量為使得所述天線工作在第一頻段的金屬片的數(shù)量，

當(dāng)所述開關(guān)器件處于第二頻段配置模式時，所述開關(guān)器件使得第二數(shù)量的金屬片與所述接地層連通，其中，所述第二數(shù)量的金屬片還具有第二分布，所述第二數(shù)量為使得所述天線工作在第二頻段的金屬片的數(shù)量；

其中，所述第一分布根據(jù)電磁輻射局部吸收率SAR確定，以使得所述天線工作在所述第一頻段時SAR的最大點偏離用戶；所述第二分布根據(jù)電磁輻射局部吸收率SAR確定，以使得所述天線工作在所述第二頻段時SAR的最大點偏離用戶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述開關(guān)器件為多刀多擲開關(guān)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述天線還包括介質(zhì)層；

所述介質(zhì)層設(shè)置有過孔；

所述多個金屬片設(shè)置于介質(zhì)層的一表面上，所述開關(guān)器件設(shè)置于所述介質(zhì)層的另一表面，并且所述多個金屬片通過所述過孔與所述開關(guān)器件連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線，其特征在于，所述多個金屬片陣列設(shè)置于所述介質(zhì)層的一表面。

5.一種移動終端，其特征在于，包括天線、檢測模塊及控制模塊；

所述天線包括多個金屬片、接地層以及開關(guān)器件，所述多個金屬片與所述接地層分別與所述開關(guān)器件連接，

所述開關(guān)器件具有至少第一、第二兩種頻段配置模式，其中，當(dāng)所述開關(guān)器件處于第一頻段配置模式時，所述開關(guān)器件使得第一數(shù)量的金屬片與所述接地層連通，所述第一數(shù)量的金屬片還具有第一分布，所述第一數(shù)量為使得所述天線工作在第一頻段的金屬片的數(shù)量，當(dāng)所述開關(guān)器件處于第二頻段配置模式時，所述開關(guān)器件使得第二數(shù)量的金屬片與所述接地層連通，所述第二數(shù)量的金屬片還具有第二分布，所述第二數(shù)量為使得所述天線工作在第二頻段的金屬片的數(shù)量，

所述檢測模塊用于檢測所述移動終端所在位置的覆蓋信號最強的網(wǎng)絡(luò)所在頻段，所述控制模塊用于根據(jù)所述檢測模塊檢測到頻段，控制所述開關(guān)器件所處于頻段配置模式；

其中，所述第一分布根據(jù)電磁輻射局部吸收率SAR確定，以使得所述天線工作在所述第一頻段時SAR的最大點偏離用戶；所述第二分布根據(jù)電磁輻射局部吸收率SAR確定，以使得所述天線工作在所述第二頻段時SAR的最大點偏離用戶。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移動終端，其特征在于，

所述控制模塊具體用于，當(dāng)所述檢測模塊檢測到所述移動終端所在位置的覆蓋信號最強的網(wǎng)絡(luò)所在頻段為第一頻段時，控制所述開關(guān)器件，使得所述開關(guān)器件處于第一頻段配置模式，

當(dāng)所述檢測模塊檢測到所述移動終端所在位置的覆蓋信號最強的網(wǎng)絡(luò)所在頻段為第二頻段時，控制所述開關(guān)器件，使得所述開關(guān)器件處于第二頻段配置模式。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移動終端，其特征在于，所述開關(guān)器件為多刀多擲開關(guān)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移動終端，其特征在于，所述移動終端還包括介質(zhì)層；

所述介質(zhì)層設(shè)置有過孔；

所述多個金屬片陣列設(shè)置于介質(zhì)層的一表面上，所述開關(guān)器件設(shè)置于所述介質(zhì)層的另一表面，并且所述多個金屬片通過所述過孔與所述開關(guān)器件連接。

9.一種天線制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

制造多個金屬片、接地層以及開關(guān)器件，并使所述多個金屬片和所述接地層均與所述開關(guān)器件連接；

根據(jù)第一頻段的頻率確定金屬片的第一數(shù)量；

根據(jù)電磁輻射局部吸收率SAR確定第一數(shù)量的金屬片的第一分布；

設(shè)置所述開關(guān)器件的第一頻段配置模式，以使所述第一數(shù)量的金屬片按第一分布與接地層連通；

根據(jù)第二頻段的頻率確定所述金屬片的第二數(shù)量；

根據(jù)SAR確定所述第二數(shù)量的金屬片的第二分布；

設(shè)置所述開關(guān)器件的第二頻段配置模式，以使所述第二數(shù)量的金屬片按第二分布與接地層連通。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的天線制造方法，其特征在于，所述制造多個金屬片、接地層以及開關(guān)器件，并使所述多個金屬片與所述接地層均與所述開關(guān)器件連接的步驟包括:

制造所述多個所述金屬片、所述接地層、所述開關(guān)器件以及設(shè)置有過孔的介質(zhì)層，并使所述多個金屬片陣列設(shè)置于介質(zhì)層的一表面上，所述開關(guān)器件設(shè)置于所述介質(zhì)層的另一表面，并且所述多個金屬片通過所述過孔與所述開關(guān)器件連接。