[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310451589.2
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104518103A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張娟娟;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極由鈉鹽層，硅化合物摻雜層及聚噻吩層組成，所述鈉鹽層材料選自碳酸鈉、氯化鈉、氟化鈉和溴化鈉中至少一種，所述硅化合物摻雜層材料包括硅化合物及摻雜在所述硅化合物中的金屬氧化物，所述硅化合物材料選自一氧化硅、二氧化硅和硅酸鈉中至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、氧化鋯、氧化鈣和氧化鎳中至少一種，所述聚噻吩層材料為重量比為2:1～6:1的聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽水溶液混合物，其中，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩相對水的質量分數為1%～5%。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述硅化合物與所述金屬氧化物的質量比為0.5:1～2:1。

3.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鈉鹽層的厚度為2nm～10nm，所述硅化合物摻雜層的厚度為20nm～100nm，所述聚噻吩層厚度為60nm～150nm。

4.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在所述電子注入層的表面蒸鍍形成鈉鹽層，所述鈉鹽層材料選自碳酸鈉、氯化鈉、氟化鈉和溴化鈉中至少一種，通過電子束蒸鍍方式在所述鈉鹽層表面制備所述硅化合物摻雜層，所述硅化合物摻雜層材料包括硅化合物及摻雜在所述硅化合物中的金屬氧化物，所述硅化合物材料選自一氧化硅、二氧化硅和硅酸鈉中至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、氧化鋯、氧化鈣和氧化鎳中至少一種，通過璇涂方式在所述硅化合物摻雜層表面制備所述聚噻吩層，所述聚噻吩層材料為重量比為2:1～6:1的聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽水溶液混合物，其中，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩相對水的質量分數為1%～5%。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3Pa～5×10^-5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm²～100W/cm²。

8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述璇涂方式的工藝具體為：旋涂的轉速為500rpm～3000rpm，時間為10s～30s，旋涂后在100℃～200℃下加熱15min～60min。

9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述硅化合物與所述金屬氧化物的質量比為0.5:1～2:1。

10.根據權利要求9所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述鈉鹽層的厚度為2nm～10nm，所述硅化合物摻雜層的厚度為20nm～100nm，所述聚噻吩層厚度為60nm～150nm。